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MOSVII Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 69

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Nombre comercial = MOSVII

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51

TK3A65DA(STA4,QM)
Toshiba
1: $2.307
240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3A65DA(STA4,QM)

N.º de artículo de Mouser
757-TK3A65DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51

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$2.307

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1 Channel

650 V

2.5 A

2.51 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 70A 410W MOSVII 160nC .0029

TK70J20D,S1Q
Toshiba
1: $9.520
90En existencias

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TK70J20D,S1Q

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757-TK70J20DS1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 70A 410W MOSVII 160nC .0029

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90En existencias

$9.520

$6.933

$5.768

$5.130

$4.570

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N-Channel

1 Channel

200 V

70 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

160 nC

- 55 C

+ 150 C

410 W

Enhancement

MOSVII

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

TK18A30D,S5X
Toshiba
1: $2.800
107En existencias

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TK18A30D,S5X

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757-TK18A30DS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

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$2.800

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$1.277

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18 A

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- 20 V, 20 V

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60 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 525V 35W 490pF 1.7 Ohm

TK4A53D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.106
300En existencias

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TK4A53D(STA4,Q,M)

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757-TK4A53DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 525V 35W 490pF 1.7 Ohm

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$889

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TO-220FP-3

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1 Channel

525 V

4 A

1.7 Ohms

35 W

MOSVII

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(OS) MOQ=2000 V=600 PD=80W F=1MHZ

TK4P60D,RQ
Toshiba
1: $1.366
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TK4P60D,RQ

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757-TK4P60DRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(OS) MOQ=2000 V=600 PD=80W F=1MHZ

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600 V

4 A

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- 30 V, 30 V

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12 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72

TK10A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
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83En existencias
200Se espera el 17-02-2026

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TK10A50D(STA4,Q,M)

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757-TK10A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72

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200Se espera el 17-02-2026

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$1.131

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10 A

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- 30 V, 30 V

2 V

20 nC

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+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029

TK11A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
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103En existencias

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TK11A45D(STA4,Q,M)

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757-TK11A45DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029

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$1.322

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Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55

TK12A60D(STA4,Q,M)
Toshiba
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TK12A60D(STA4,Q,M)

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757-TK12A60DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55

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Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47

TK13A50DA(STA4,Q,M
Toshiba
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TK13A50DA(STA4,Q,M

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47

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Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ

TK13P25D,RQ
Toshiba
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TK13P25D,RQ

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757-TK13P25DRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ

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SMD/SMT

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1 Channel

250 V

13 A

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

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96 W

Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27

TK18A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
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61En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK18A50D(STA4,Q,M)

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757-TK18A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27

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$2.083

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1 Channel

500 V

18 A

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- 30 V, 30 V

2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25

TK19A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $4.491
73En existencias

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TK19A45D(STA4,Q,M)

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757-TK19A45DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25

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$4.491

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TO-220FP-3

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1 Channel

450 V

19 A

250 mOhms

50 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

TK25A20D,S5X
Toshiba
1: $2.744
3En existencias

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TK25A20D,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK25A20DS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

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$2.744

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$1.210

$972

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

25 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26

TK2A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $1.770
262En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK2A65D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK2A65DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26

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262En existencias

$1.770

$1.039

$988

$731

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

2 A

3.26 Ohms

- 30 V, 30 V

2.4 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm

TK3A60DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $1.826
51En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3A60DA(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK3A60DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm

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51En existencias

$1.826

$906

$729

$617

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

2.5 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

2.4 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm

TK3A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.274
145En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3A65D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK3A65DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm

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145En existencias

$2.274

$1.165

$1.104

$804

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3 A

2.25 Ohms

- 30 V, 30 V

2.4 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm

TK3P50D,RQ(S
Toshiba
1: $1.747
17En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3P50D,RQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TK3P50DRQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm

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$1.344

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$629

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

3 A

3 Ohms

- 30 V, 30 V

2.4 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm

TK4A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $1.422
325En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK4A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm

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325En existencias

$1.422

$660

$610

$433

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

500 V

4 A

2 Ohms

30 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm

TK4P60DB(T6RSS-Q)
Toshiba
1: $1.702
56En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4P60DB(T6RSS-Q)

N.º de artículo de Mouser
757-TK4P60DBT6RSS-Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm

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56En existencias

Cinta cortada

$1.702

$1.070

$709

$560

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$442

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Mult.: 1

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3.7 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4.4 V

11 nC

+ 150 C

80 W

Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm

TK5A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.094
250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5A55D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK5A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm

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250En existencias

$2.094

$1.210

$950

$713

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

5 A

1.7 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm

TK5A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.453
164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5A65D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK5A65DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm

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164En existencias

$2.453

$1.232

$1.154

$889

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

5 A

1.43 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5A N-CH MOSFET

TK5A80E,S4X
Toshiba
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148En existencias

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TK5A80E,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK5A80ES4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5A N-CH MOSFET

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148En existencias

$2.520

$1.232

$1.131

$825

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TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

2.4 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

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- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

TK5A90E,S4X
Toshiba
1: $2.486
156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5A90E,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK5A90ES4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

4.5 A

3.1 Ohms

- 30 V, 30 V

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+ 150 C

40 W

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MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm

TK5P50D(T6RSS-Q)
Toshiba
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TK5P50D(T6RSS-Q)

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757-TK5P50DT6RSS-Q

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

5 A

1.3 Ohms

- 30 V, 30 V

4.4 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm

TK6A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
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TK6A65D(STA4,Q,M)

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MOSVII Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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760 mOhms