TK18A30D,S5X
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757-TK18A30DS5X
TK18A30D,S5X
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
Hoja de datos:
En existencias: 107
-
Existencias:
-
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-
Plazo de entrega de fábrica:
-
32 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (CLP)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $2.800 | $2.800 | |
| $1.378 | $13.780 | |
| $1.277 | $127.700 | |
| $970 | $485.000 | |
| $829 | $829.000 | |
| $810 | $4.050.000 |
Hoja de datos
Application Notes
- Basics of Diodes (Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics)
- Basics of Diodes (Power Losses and Thermal Design)
- Basics of Diodes (Types and Overview of Diodes)
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors Maximum Ratings
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Surface Mount Small Signal Transistor (BJT) Precautions for use
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
