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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H

TPM1R408RH,LQ
Toshiba
1: $3.996
2.492En existencias
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TPM1R408RH,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPM1R408RHLQ

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H

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2.492En existencias

Cinta cortada

$3.996

$2.335

$1.830

$1.535

$1.462

Envase tipo carrete

$1.157

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

80 V

288 A

1.4 mOhms

20 V

3.6 V

80 nC

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ461EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: $3.492
3.580En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ461EP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ461EP-T1_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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3.580En existencias

$3.492

$2.261

$1.567

$1.304

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Min.: 1
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Máx.: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8L-4

P-Channel

1 Channel

60 V

30 A

16 mOhms

20 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC034N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.493
7.307En existencias
5.000Se espera el 08-10-2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC034N08NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC034N08NM7ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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7.307En existencias

5.000Se espera el 08-10-2026

Cinta cortada

$2.493

$1.578

$1.073

$862

Envase tipo carrete

$685

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

122 A

3.4 mOhms

20 V

3.2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

IAUCN04S7N010GATMA1
Infineon Technologies
1: $2.398
3.518En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N010GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N010GAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

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3.518En existencias

Cinta cortada

$2.398

$1.525

$1.022

$829

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Envase tipo carrete

$663

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

PG-THSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

40 V

252 A

1.04 mOhms

20 V

3 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

ISC016N08NM8SCATMA1
Infineon Technologies
1: $7.625
3.095En existencias
Nuevo producto

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ISC016N08NM8SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC016N08NM8SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

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Cinta cortada

$7.625

$4.785

$4.091

$3.639

$3.513

Envase tipo carrete

$2.808

Min.: 1
Mult.: 1

: 4.000

SMD/SMT

PG-WSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

269 A

1.54 mOhms

20 V

3.5 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ858AEP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: $1.935
1.906En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQJ858AEP-T1_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ858AEP-T1_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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1.906En existencias

$1.935

$1.199

$786

$617

Ver

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L

N-Channel

1 Channel

40 V

58 A

6.3 mOhms

20 V

2.5 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQM40022EM_NE3
Vishay Semiconductors
1: $4.038
690En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQM40022EM_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM40022EM_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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690En existencias

$4.038

$2.640

$1.925

$1.609

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

1.63 mOhms

20 V

3.5 V

106 C

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM

NVMFD5877NLWFT1G-UM
onsemi
1: $1.946
945En existencias
1.500Se espera el 29-12-2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5877NLWFT1G-UM

N.º de artículo de Mouser
863-FD5877NLWFT1G-UM

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM

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1.500Se espera el 29-12-2026

Cinta cortada

$1.946

$1.051

$803

Envase tipo carrete

$803

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 245

: 1.500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

2 Channel

60 V

17 A

39 mOhms

20 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVTFS5C453NLETAG
onsemi
1: $2.745
828En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C453NLETAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C453NLETAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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828En existencias

Cinta cortada

$2.745

$1.756

Envase tipo carrete

$1.756

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 83

: 1.500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

107 A

3.1 mOhms

20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56

FDMS8622-NC
onsemi
1: $2.061
2.065En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
FDMS8622-NC

N.º de artículo de Mouser
863-FDMS8622-NC

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56

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2.065En existencias

Cinta cortada

$2.061

$970

$855

Envase tipo carrete

$855

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 207

: 3.000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

100 V

16.5 A

56 mOhms

20 V

4 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SI8409ADB-T1-E1
Vishay / Siliconix
1: $1.125
6.000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SI8409ADB-T1-E1

N.º de artículo de Mouser
78-SI8409ADB-T1-E1

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Hoja de datos

6.000En existencias

Cinta cortada

$1.125

$511

$451

$344

Envase tipo carrete

$259

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

MicroFoot-4

P-Channel

1 Channel

30 V

7.7 A

0.031 Ohms

12 V

1.2 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQD50P06-15L_NE3
Vishay Semiconductors
1: $2.682
1.574En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SQD50P06-15L_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQD50P06-15L_NE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos

1.574En existencias

$2.682

$1.704

$1.157

$931

Ver

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.000

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

20 mOhms

20 V

2.5 V

98 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K

DMP21D1UFB4Q-7B
Diodes Incorporated
1: $431
8.208En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMP21D1UFB4Q-7B

N.º de artículo de Mouser
621-DMP21D1UFB4Q-7B

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K

8.208En existencias

Cinta cortada

$431

$294

$186

$118

Envase tipo carrete

$51,5

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10.000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

DMTH4012LDVWQ-7
Diodes Incorporated
1: $1.378
1.448En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4012LDVWQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4012LDVWQ-7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

1.448En existencias

Cinta cortada

$1.378

$852

$561

$441

Envase tipo carrete

$340

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 40<-<100V

IRFP3306PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $4.806
207En existencias
400Se espera el 08-10-2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IRFP3306PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP3306PBFXKMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 40<-<100V

Hoja de datos

207En existencias

400Se espera el 08-10-2026

Cinta cortada

$4.806

$3.145

$2.209

Envase tipo carrete

$1.830

$1.819

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 400

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN0808-4(Type B) T&R 3K

DMP1046UCA4-7
Diodes Incorporated
1: $726
2.320En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DMP1046UCA4-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP1046UCA4-7

Nuevo producto

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN0808-4(Type B) T&R 3K

Hoja de datos

2.320En existencias

Cinta cortada

$726

$502

$318

$197

Envase tipo carrete

$128

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL

iS15M2R5S1T-100B
iDEAL Semiconductor
1: $8.003
50En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
iS15M2R5S1T-100B

N.º de artículo de Mouser
25-IS15M2R5S1T-100B

Nuevo producto

iDEAL Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL

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Hoja de datos

50En existencias

$8.003

$5.732

$4.712

$3.891

$3.786

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TOLL

N-Channel

1 Channel

150 V

233 A

2.5 mOhms

20 V

3.3 V

123 nC

- 55 C

+ 175 C

314 W

Enhancement

SuperQ

Bulk

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN10S7L040ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.523
5.214En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN10S7L040ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN10S7L040ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Hoja de datos

5.214En existencias

Cinta cortada

$3.523

$2.293

$1.578

$1.315

$1.241

Envase tipo carrete

$1.146

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

130 A

3.3 mOhms

16 V

2 V

44.3 nC

- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, ITO-220AB, N, 900V, 2.7A, 3.4 , 150C

DIJ2A7N90
Diotec Semiconductor
1: $2.072
1.000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
DIJ2A7N90

N.º de artículo de Mouser
637-DIJ2A7N90

Nuevo producto

Diotec Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, ITO-220AB, N, 900V, 2.7A, 3.4 , 150C

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1.000En existencias

$2.072

$1.620

$974

$964

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Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

ISC037N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.943
11.144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC037N12NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC037N12NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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11.144En existencias

Cinta cortada

$4.943

$2.608

$2.345

$2.040

Ver

Envase tipo carrete

$1.788

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8FL

N-Channel

1 Channel

120 V

163 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V

SIHF520S-GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.051
791En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHF520S-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHF520S-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V

Hoja de datos

791En existencias

$2.051

$1.262

$835

$656

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V

SIHFR9024-GE3
Vishay Semiconductors
1: $1.630
3.438En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHFR9024-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFR9024-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V

Hoja de datos

3.438En existencias

$1.630

$1.011

$666

$523

Ver

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V

SIHFU220-GE3
Vishay Semiconductors
1: $1.420
2.714En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHFU220-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFU220-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V

Hoja de datos

2.714En existencias

$1.420

$883

$581

$456

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V

SIHFU420-GE3
Vishay Semiconductors
1: $1.672
2.931En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SIHFU420-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHFU420-GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V

Hoja de datos

2.931En existencias

$1.672

$1.038

$684

$537

Ver

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TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V

SIHF620S-GE3
Vishay Semiconductors
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D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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1212-8S
1212-8SCD
1212-8SLW
1212-8W
2-10AF1A-9
2-10AG1A
6x5F
8 x 8LR
ACEPACK SMIT-9
APMCA-16
BGA-10
BGA-6
CCPAK1212
CSP-6
CSPB1313-4
CSPB1515-4
CSPB2718-6
CST-3
CST3-3
CST3C-3

6 V
8 V
8 V, 20 V
8 V, 8 V
9 V
10 V
10.6 V
12 V
12 V, 20 V
12 V, 25 V
15 V
16 V
16.5 V
18 V
19 V
20 V
20 V, 20 V
20 V, 21 V
20 V, 30 V
20 V, 60 V

150 uA
250 uA
520 uA
2 mA
2 mA, 4.8 mA
4.8 mA
5 mA
12 mA
13 mA
16 mA, 40 mA
19 mA
20 mA
21 mA
30 mA
35 mA
50 mA
53 mA
54 mA
60 mA
70 mA

0.29 mOhms
290 uOhms
310 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
0.38 mOhms
390 uOhms
400 uOhms
410 uOhms
0.42 mOhms
420 uOhms
0.44 mOhms
440 uOhms
450 uOhms
460 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
0.49 mOhms
490 uOhms
500 uOhms

- 500 mV, 5 V
- 500 mV, 8 V
- 200 mV, 7 V
- 40 V, 40 V
- 31 V, 31 V
- 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V
- 30 V, 25 V
- 30 V, 30 V
- 25 V, - 16 V, 16 V, 25 V
- 25 V, - 20 V, 20 V, 25 V
- 25 V, 20 V
- 25 V, 25 V
- 25 V, 30 V
- 22 V, 22 V
- 21 V, 21 V
- 20 V to 20 V
- 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V
- 20 V, - 12 V, 16 V, 20 V
- 20 V, 10 V
- 20 V, 12 V

0 V
20 mV
180 mV
220 mV
300 mV
300 mV, 350 mV
350 mV
350 mV, 1 V
350 mV, 1.4 V
350 mV, 650 mV
400 mV
400 mV, 1 V
400 mV, 1.5 V
400 mV, 500 mV
400 mV, 800 mV
420 mV
450 mV
450 mV, 1 V
450 mV, 1.1 V
450 mV, 1.5 V

34 pC
70 pC, 850 pC
73 pC, 3 nC
170 pC, 230 pC
180 pC
210 pC
216 pC
223 pC
250 pC, 500 pC
260 pC
270 pC
280 pC
290 pC
300 pC
300 pC, 280 pC
304 pC
310 pC
320 pC
330 pC
340 pC

290 uW
300 uW
470 uW
700 uW
1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.135 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
5 mW
10.9 mW
80 mW
92.5 mW
100 mW
120 mW
125 mW

2N7000
2N7002
2N7002A
2N7002W
ATTOmini
BIMOSFET
Clare
CoolMOS
CoolMOS, HiPerDyn
CoolMOS, ISOPLUS247
CoolSiC
DI003N03SQ2
DI006P02PW
DI008N09SQ
DI010N03PW
DI010N03PW-AQ
DI015N25D1
DI020N06D1
DI020P06PT
DI020P06PT-AQ