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Toshiba DTMOSIV Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 112

Filtros aplicados:

Fabricante = Toshiba Nombre comercial = DTMOSIV

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK20V60W5,LVQ
Toshiba
1: $4.592
2.567En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK20V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK20V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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2.567En existencias

Cinta cortada

$4.592

$3.528

$2.531

$2.374

$2.139

Envase tipo carrete

$1.926

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

156 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK6P65W,RQ
Toshiba
1: $1.568
7.464En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK6P65W,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK6P65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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7.464En existencias

Cinta cortada

$1.568

$1.254

$877

$860

Envase tipo carrete

$744

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

5.8 A

890 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

TK6P60W,RVQ
Toshiba
1: $3.573
5.745En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK6P60W,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK6P60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

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5.745En existencias

Cinta cortada

$3.573

$1.478

$1.176

Envase tipo carrete

$1.165

$1.120

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6.2 A

820 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W

TK12A80W,S4X
Toshiba
1: $4.547
2.476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK12A80W,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A80WS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W

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2.476En existencias

$4.547

$2.218

$2.027

$1.949

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

11.5 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

TK16G60W5,RVQ
Toshiba
1: $4.637
991En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16G60W5,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16G60W5RVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ

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991En existencias

Cinta cortada

$4.637

$3.069

$2.464

Envase tipo carrete

$2.005

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

230 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK8P60W5,RVQ
Toshiba
1: $1.624
1.657En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK8P60W5,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK8P60W5RVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Cinta cortada

$1.624

$1.198

$927

Envase tipo carrete

$899

$892

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

440 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

TK35N65W,S1F
Toshiba
1: $11.626
20En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK35N65W,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK35N65WS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

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20En existencias

$11.626

$8.120

$5.746

$5.477

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

68 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS

TK14A65W5,S5X
Toshiba
1: $4.390
47En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK14A65W5,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK14A65W5S5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET NCh trr100 nsn 0.25ohm DTMOS

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47En existencias

$4.390

$2.878

$2.206

$2.150

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.7 A

250 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK17N65W,S1F
Toshiba
1: $6.261
34En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK17N65W,S1F

N.º de artículo de Mouser
757-TK17N65WS1F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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34En existencias

$6.261

$4.166

$2.834

$2.442

$2.408

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

17.3 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

165 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK8A60W5,S5VX
Toshiba
1: $2.901
192En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK8A60W5,S5VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A60W5S5VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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192En existencias

$2.901

$1.736

$1.243

$952

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

440 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

TK7A80W,S4X
Toshiba
1: $3.853
551En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7A80W,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A80WS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

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551En existencias

$3.853

$1.792

$1.781

$1.691

$1.624

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6.5 A

950 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC

TK10P60W,RVQ
Toshiba
1: $3.875
449En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10P60W,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK10P60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC

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449En existencias

Cinta cortada

$3.875

$2.083

$1.781

Envase tipo carrete

$1.702

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ

TK8P65W,RQ
Toshiba
1: $2.094
1.788En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK8P65W,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK8P65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=80W F=1MHZ

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Hoja de datos

1.788En existencias

Cinta cortada

$2.094

$1.669

$1.322

$1.221

Envase tipo carrete

$1.075

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

7.8 A

670 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

TK16V60W5,LVQ
Toshiba
1: $5.040
2.495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK16V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ

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Hoja de datos

2.495En existencias

Cinta cortada

$5.040

$3.898

$2.789

$2.666

$2.419

Envase tipo carrete

$2.173

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15.8 A

245 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC

TK12P60W,RVQ
Toshiba
1: $2.722
757En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK12P60W,RVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK12P60WRVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC

Hoja de datos

757En existencias

Cinta cortada

$2.722

$2.005

$1.602

$1.579

Ver

Envase tipo carrete

$1.288

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11.5 A

340 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK39N60W5,S1VF
Toshiba
1: $8.154
4.415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK39N60W5,S1VF

N.º de artículo de Mouser
757-TK39N60W5S1VF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

4.415En existencias

$8.154

$4.962

$4.570

$3.987

$3.819

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38.8 A

62 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

135 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

TK100L60W,VQ
Toshiba
1: $33.936
74En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK100L60W,VQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK100L60WVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

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Hoja de datos

74En existencias

$33.936

$25.973

$24.024

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PL-3

N-Channel

1 Channel

600 V

100 A

15 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

360 nC

- 55 C

+ 150 C

797 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK14G65W,RQ
Toshiba
1: $3.248
1.288En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK14G65W,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK14G65WRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

Obtenga más información

Hoja de datos

1.288En existencias

Cinta cortada

$3.248

$2.341

$1.781

$1.691

Envase tipo carrete

$1.400

$1.378

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

650 V

13.7 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

TK31V60W5,LVQ
Toshiba
1: $6.518
1.587En existencias
2.250Se espera el 10-02-2026

N.º de artículo del Fabricante
TK31V60W5,LVQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK31V60W5LVQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

Obtenga más información

Hoja de datos

1.587En existencias

2.250Se espera el 10-02-2026

Cinta cortada

$6.518

$4.379

$3.326

$3.304

$3.270

Envase tipo carrete

$2.688

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DFN8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

30.8 A

87 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

105 nC

+ 150 C

240 W

Enhancement

DTMOSIV

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

TK10A60W5,S5VX
Toshiba
1: $3.002
257En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10A60W5,S5VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A60W5S5VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET N-Channel

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Hoja de datos

257En existencias

$3.002

$1.501

$1.445

$1.082

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

350 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

TK10A60W,S4VX
Toshiba
1: $2.061
79En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10A60W,S4VX

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A60WS4VX

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

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Hoja de datos

79En existencias

$2.061

$1.546

$1.490

$1.456

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

327 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W

TK10A80W,S4X
Toshiba
1: $4.749
188En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10A80W,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A80WS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1150pF 19nC 9.5A 40W

Obtenga más información

Hoja de datos

188En existencias

$4.749

$2.565

$2.330

$1.859

$1.770

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

9.5 A

460 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

19 nC

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DTMOSIV

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

TK10E60W,S1VX
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC

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N-Channel

1 Channel

600 V

9.7 A

380 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

20 nC

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+ 150 C

100 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A

TK10Q60W,S1VQ
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A

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1 Channel

600 V

9.7 A

327 mOhms

- 30 V, 30 V

3.7 V

20 nC

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80 W

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DTMOSIV

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TK11A65W,S5X
Toshiba
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TK11A65W,S5X

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N-Channel

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650 V

11.1 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

25 nC

- 55 C

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35 W

Enhancement

DTMOSIV

Tube

Toshiba DTMOSIV Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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17 A
17.3 A
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27.6 A

15 mOhms
33 mOhms
36 mOhms
55 mOhms
57 mOhms
62 mOhms
65 mOhms
68 mOhms
73 mOhms
78 mOhms
80 mOhms
82 mOhms
87 mOhms
88 mOhms
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120 mOhms
130 mOhms
140 mOhms
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11 nC
12 nC
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15 nC
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19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
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30 nC
32 nC
35 nC
38 nC
40 nC
43 nC
45 nC
48 nC
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30 W
35 W
40 W
45 W
50 W
60 W
80 W
88.3 W
100 W
104 W
110 W
130 W
139 W
156 W
165 W
180 W
230 W
240 W
270 W
400 W