TK12A80W,S4X
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Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W
En existencias: 2.476
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Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (CLP)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $4.547 | $4.547 | |
| $2.218 | $22.180 | |
| $2.027 | $202.700 | |
| $1.949 | $4.872.500 |
Hoja de datos
Application Notes
- Applications of Low-Voltage One-Gate Logic ICs to Level Shift Circuits
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Tips for Selecting Level Shifters (Voltage Translation ICs)
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8542390000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8542399901
- ECCN:
- EAR99
Chile
