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TK100L60W,VQ

Name: Toshiba TK100L60W,VQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK100L60WVQ
Price: 33936 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TK100L60WVQ

Fabricante N.º:

TK100L60W,VQ

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV 600V 18mOhm 100A 800W 15000pF

Hoja de datos:

TK100L60W,VQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$33.936	$33.936
	$25.973	$259.730
	$24.024	$2.402.400
2.500	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-3PL-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	15 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.7 V
Qg - Carga de puerta:	360 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	797 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	DTMOSIV
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	125 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	130 ns
Serie:	TK100L60
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	690 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	230 ns
Peso de la unidad:	7 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.