Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D1822S-60PBG/OMP-78/REELDP
Hoja de datos
300En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 28.3 dB 45.4 dBm + 150 C SMD/SMT OMP-780-16G-1-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP
Hoja de datos
100Se espera el 26-02-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 29.5 dB 44 dBm + 150 C SMD/SMT OMP-780-16G-1-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20/TO270/REEL
Hoja de datos
100Se espera el 23-02-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

N-Channel LDMOS 65 V 500 mOhms 400 MHz to 2.7 GHz 19 dB 20 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL
Hoja de datos
100Se espera el 29-05-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

N-Channel LDMOS 65 V 370 mOhms 2 GHz 19.3 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2735LS-50/SOT1135/TRAY
Hoja de datos
45Se espera el 13-02-2026
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel LDMOS 65 V 300 mOhms 2.7 GHz to 3.5 GHz 12 dB 50 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Tray

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
4Se espera el 07-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10

N-Channel GaAs 28 GHz 15 dB 24.5 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
1Se espera el 07-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10
N-Channel GaAs 18 GHz 12 dB 30 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro MWT-PH27F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
3Se espera el 31-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 16 dB 25 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

N-Channel Si 2.6 A 105 V 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.2 dB 700 W - 55 C + 150 C SMD/SMT NI-780GS-4L Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

N-Channel Si 7.5 A 40 V 764 MHz to 940 MHz 17.5 dB 57 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270WB-4 Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

N-Channel Si 10 A 40 V 764 MHz to 941 MHz 15.7 dB 32 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

N-Channel Si 100 V 960 MHz to 1.215 GHz 20.3 dB 275 W + 150 C Screw Mount NI-780 Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

N-Channel Si 100 V 1.2 GHz to 1.4 GHz 18 dB 330 W + 150 C SMD/SMT NI-780S Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 150
Mult.: 150
Carrete: 150

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 600 MHz 24 dB 1.25 kW + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W 2700-3100MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

N-Channel Si 1.8 A 65 V 2.7 GHz to 3.1 GHz 17.2 dB 150 W - 40 C + 150 C Screw Mount OM-780-2 Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 500W 50V NI780H
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

N-Channel Si 110 V 960 MHz to 1.215 MHz 19.7 dB 500 W + 150 C Screw Mount NI-780H-2 Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 900MHZ 10W
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

N-Channel Si 125 mA 68 V 450 MHz to 1.5 GHz 18 dB 10 W + 150 C SMD/SMT TO-270-2 Reel
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

GaAs 85 mA 26 GHz 15 dB 21 dBm + 150 C Die Bulk
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

N-Channel Si 10 mA 105 V 340 mOhms 960 MHz to 1.6 GHz 18.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

N-Channel Si 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 16 dB 700 W + 225 C SMD/SMT H-36275-4 Reel
Mini-Circuits Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MMIC AMPLIFIER
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

N-Channel GaAs 120 mA 3 V 45 MHz to 6 GHz 18.6 dB 20.7 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT MCLP-4 Reel

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 25
Mult.: 25

Si Through Hole TO-247-3 Tube

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 25
Mult.: 25

N-Channel Si 13 A 1 kV 1 Ohms 45 MHz 16 dB 300 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube