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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 627

Filtros aplicados:

Fabricante

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L

MHT1803B
NXP Semiconductors
1: $49.750
368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MHT1803B

N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803B

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L

368En existencias

$49.750

$40.477

$37.968

$36.086

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

1.8 MHz to 50 MHz

28.2 dB

300 W

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH

NVJD5121NT1G-M06
onsemi
1: $459
29.430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVJD5121NT1G-M06

N.º de artículo de Mouser
863-NVJD5121NT1G-M06

onsemi

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH

Hoja de datos

29.430En existencias

Cinta cortada

$459

$282

$178

$133

Envase tipo carrete

$90,7

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1

ARF1500
Microchip Technology
1: $348.051
3En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF1500

N.º de artículo de Mouser
494-ARF1500

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1

Hoja de datos

3En existencias

$348.051

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

60 A

500 V

40 MHz

17 dB

750 W

- 55 C

+ 175 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source

ARF463AG
Microchip Technology
1: $46.390
37En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF463AG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF463AG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

37En existencias

$46.390

$39.267

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

9 A

500 V

100 MHz

15 dB

100 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source

ARF463AP1G
Microchip Technology
1: $50.434
5En existencias
540En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ARF463AP1G

N.º de artículo de Mouser
494-ARF463AP1G

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

5En existencias

540En pedido

$50.434

$42.683

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

9 A

500 V

100 MHz

15 dB

100 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C

ARF476FL
Microchip Technology
1: $177.397
10En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF476FL

N.º de artículo de Mouser
494-ARF476FL

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C

Hoja de datos

10En existencias

$177.397

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

10 A

500 V

150 MHz

15 dB

900 W

- 55 C

+ 175 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55015S-E
STMicroelectronics
1: $25.827
323En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

323En existencias

$25.827

$21.134

$18.670

$16.677

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz

SD2932BW
STMicroelectronics
1: $239.434
36En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2932BW

N.º de artículo de Mouser
511-SD2932BW

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz

36En existencias

$239.434

$204.064

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

40 A

125 V

250 MHz

15 dB

300 W

+ 200 C

Screw Mount

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB

MRF171A
MACOM
1: $83.597
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF171A

N.º de artículo de Mouser
937-MRF171A

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

$83.597

$66.987

$61.981

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4.5 A

65 V

150 MHz

17 dB

45 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

211-07-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH31F
CML Micro
1: $35.672
20En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH31F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH31F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

Hoja de datos

20En existencias

$35.672

$33.029

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

GaAs

240 mA to 280 mA

18 GHz

13 dB

30 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH32F
CML Micro
1: $43.142
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH32F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH32F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

Hoja de datos

18En existencias

$43.142

$39.950

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

GaAs

310 mA to 360 mA

12 GHz

13 dB

30.5 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

MWT-PH33F
CML Micro
10: $19.410
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH33F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH33F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Hoja de datos

30En existencias

$19.410

$19.376

$15.949

$14.963

Ver

Min.: 10
Mult.: 10

N-Channel

GaAs

26 GHz

14 dB

24 dBm

SMD/SMT

Die

Gel Pack

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications

MWT-PH7F
CML Micro
10: $67.693
10En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH7F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH7F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications

Obtenga más información

Hoja de datos

10En existencias

$67.693

Ver

Min.: 10
Mult.: 10

GaAs

60 mA to 80 mA

6.5 V

28 GHz

15 dB

23 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9H0610S-60PG/OMP-780/REELDP

BLM9H0610S-60PGY
Ampleon
1: $54.208
10En existencias
200Se espera el 05-03-2026
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLM9H0610S-60PGY

N.º de artículo de Mouser
94-BLM9H0610S-60PGY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9H0610S-60PG/OMP-780/REELDP

Hoja de datos

10En existencias

200Se espera el 05-03-2026

Cinta cortada

$54.208

$42.482

$40.701

$40.678

Envase tipo carrete

$36.994

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

LDMOS

48 V

600 MHz to 1 GHz

35.5 dB

45.3 dBm

+ 125 C

SMD/SMT

OMP-780-16G-1-16

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL

BLP15H9S30GXY
Ampleon
1: $24.125
28En existencias
100Se espera el 27-02-2026
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15H9S30GXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S30GXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL

Hoja de datos

28En existencias

100Se espera el 27-02-2026

Cinta cortada

$24.125

$21.437

$20.003

$19.376

Envase tipo carrete

$18.581

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

50 V

890 mOhms

2 GHz

21 dB

30 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2G-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30/TO270/REEL

BLP15H9S30XY
Ampleon
1: $24.125
32En existencias
100Se espera el 02-03-2026
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP15H9S30XY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP15H9S30XY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30/TO270/REEL

Hoja de datos

32En existencias

100Se espera el 02-03-2026

Cinta cortada

$24.125

$21.437

$20.003

$19.376

Envase tipo carrete

$17.752

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

50 V

890 mOhms

2 GHz

22 dB

30 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55S/TO270/REEL

BLP5LA55SXY
Ampleon
1: $26.768
74En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLP5LA55SXY

N.º de artículo de Mouser
94-BLP5LA55SXY

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55S/TO270/REEL

Hoja de datos

74En existencias

Cinta cortada

$26.768

$23.789

$22.187

$21.504

Envase tipo carrete

$19.958

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 100

N-Channel

LDMOS

30 V

60 mOhms

520 MHz

19.6 dB

55 W

+ 225 C

SMD/SMT

TO-270-2F-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA030121EA-V1-R0
MACOM
1: $53.682
41En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTVA030121EA-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA030121EA1R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

41En existencias

Cinta cortada

$53.682

$46.637

Envase tipo carrete

$46.637

$40.779

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

1 mA

105 V

2.8 Ohms

390 MHz to 450 MHz

25 dB

12 W

+ 225 C

SMD/SMT

H-36265-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA120251EA-V2-R0
MACOM
1: $59.651
7En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTVA120251EA-V2-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120251EA2R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

7En existencias

Cinta cortada

$59.651

$54.510

Envase tipo carrete

$54.510

$51.195

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

N-Channel

10 mA

105 V

1.4 Ohms

500 MHz to 1.4 GHz

18 dB

25 W

+ 225 C

SMD/SMT

H-36265-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source

ARF463BP1G
Microchip Technology
1: $50.434
22En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF463BP1G

N.º de artículo de Mouser
494-ARF463BP1G

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

22En existencias

$50.434

$42.683

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

9 A

500 V

100 MHz

15 dB

100 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB

UF28150J
MACOM
1: $626.024
40En pedido

N.º de artículo del Fabricante
UF28150J

N.º de artículo de Mouser
937-UF28150J

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB

Hoja de datos

40En pedido

$626.024

$561.658

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

65 V

100 MHz to 500 MHz

8 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

375-04

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647P/SOT1121/TRAY

BLF647P,112
Ampleon
1: $187.410
236Se espera el 19-06-2026
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLF647P,112

N.º de artículo de Mouser
94-BLF647P112

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647P/SOT1121/TRAY

Obtenga más información

Hoja de datos

236Se espera el 19-06-2026

$187.410

$177.744

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel

LDMOS

100 mA

65 V

140 mOhms

1.5 GHz

18 dB

200 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT-1121A-5

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A

ARF475FL
Microchip Technology
1: $168.459
20Se espera el 23-04-2026

N.º de artículo del Fabricante
ARF475FL

N.º de artículo de Mouser
494-ARF475FL

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A

Hoja de datos

20Se espera el 23-04-2026

$168.459

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

10 A

500 V

150 MHz

15 dB

900 W

- 55 C

+ 175 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB

MRF275G
MACOM
1: $373.240
50En pedido

N.º de artículo del Fabricante
MRF275G

N.º de artículo de Mouser
937-MRF275G

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB

Obtenga más información

Hoja de datos

50En pedido

$373.240

$318.091

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

26 A

65 V

100 MHz to 500 MHz

11.2 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

375-04

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz

UF2840P
MACOM
1: $160.294
60Se espera el 06-05-2026

N.º de artículo del Fabricante
UF2840P

N.º de artículo de Mouser
937-UF2840P

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz

Hoja de datos

60Se espera el 06-05-2026

$160.294

$130.278

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

65 V

100 MHz to 500 MHz

10 dB

40 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
10 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
50 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
125 mA
150 mA
150 mA to 190 mA

3 V
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
60 V

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
50 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
57.5 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
69 mOhms
70 mOhms
80 mOhms
84 mOhms
90 mOhms
95 mOhms
100 mOhms
106 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 2 GHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
2 MHz to 175 MHz
10 MHz to 4 GHz
30 MHz
30 MHz to 860 MHz

8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB
13.4 dB
13.5 dB
14 dB

200 mW
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
12 W
14 W
15 W
15.7 W
16 W
16 dBm
18 W
20 W
20 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
333-04
333-4
368-3
375-04
744A-01
A2-3
ACC-1230-6F-2-7
ACC-1230-6F-3-7
ACC-1230-6G-2-7
B2-3
B4E-5