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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 686

Filtros aplicados:

Fabricante

Polaridad del transistor

Tecnología

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Matched pair Transistors

MRF150MP
MACOM
1: $609.352
163En existencias
250Se espera el 10-06-2026

N.º de artículo del Fabricante
MRF150MP

N.º de artículo de Mouser
937-MRF150MP

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Matched pair Transistors

Hoja de datos

163En existencias

250Se espera el 10-06-2026

$609.352

$526.972

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

125 V

150 MHz

17 dB

150 W

+ 200 C

SMD/SMT

221-11-3

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

SD2931-11W
STMicroelectronics
1: $89.385
226En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD2931-11W

N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-11W

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

Hoja de datos

226En existencias

$89.385

$72.616

$66.686

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

20 A

125 V

175 MHz

14 dB

150 W

+ 200 C

Screw Mount

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB

MRF148A
MACOM
1: $184.025
1.027En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF148A

N.º de artículo de Mouser
937-MRF148A

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB

Obtenga más información

Hoja de datos

1.027En existencias

$184.025

$153.780

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

6 A

125 V

175 MHz

18 dB

30 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

211-07-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH11F
CML Micro
10: $122.155
90En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH11F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH11F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

Obtenga más información

Hoja de datos

90En existencias

$122.155

$115.938

$115.887

Ver

Min.: 10
Mult.: 10

GaAs

440 mA to 800 mA

8 V

12 GHz

9 dB

32 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

PD54008-E
STMicroelectronics
1: $15.746
1.546En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

Hoja de datos

1.546En existencias

$15.746

$11.145

$10.307

$10.255

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

25 V

1 GHz

11.5 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

PD57060-E
STMicroelectronics
1: $53.956
860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD57060-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD57060-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam

Hoja de datos

860En existencias

$53.956

$47.729

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

7 A

65 V

1 GHz

14.3 dB

60 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

ARF1501
Microchip Technology
1: $276.773
60En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF1501

N.º de artículo de Mouser
494-ARF1501

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1

Hoja de datos

60En existencias

$276.773

$268.051

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

30 A

1 kV

40 MHz

17 dB

750 W

- 55 C

+ 175 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55008-E
STMicroelectronics
1: $17.903
1.463En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55008-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

1.463En existencias

$17.903

$11.666

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

40 V

1 GHz

17 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD54008L-E
STMicroelectronics
1: $8.568
3.758En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD54008L-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD54008L-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

3.758En existencias

Cinta cortada

$8.568

$6.166

$5.388

$5.378

Envase tipo carrete

$5.307

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

N-Channel

5 A

25 V

1 GHz

15 dB

8 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerFLAT (5x5)

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

PD55003-E
STMicroelectronics
1: $11.605
6.421En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS

Hoja de datos

6.421En existencias

$11.605

$8.078

$7.444

$7.362

$7.249

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB

MRF158
MACOM
1: $102.278
534En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF158

N.º de artículo de Mouser
937-MRF158

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB

Obtenga más información

Hoja de datos

534En existencias

$102.278

$85.080

$77.503

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

500 mA

65 V

500 MHz

18 dB

2 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

305A-01

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55015S-E
STMicroelectronics
1: $23.578
228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

228En existencias

$23.578

$19.294

$17.045

$15.910

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB

UF28150J
MACOM
1: $622.062
10En existencias
30Se espera el 28-05-2026

N.º de artículo del Fabricante
UF28150J

N.º de artículo de Mouser
937-UF28150J

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB

Hoja de datos

10En existencias

30Se espera el 28-05-2026

$622.062

$537.963

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

65 V

100 MHz to 500 MHz

8 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

375-04

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz

TAV1-331NM+
Mini-Circuits
1: $21.942
408En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TAV1-331NM+

N.º de artículo de Mouser
139-TAV1-331NM+

Mini-Circuits

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 10 MHz - 4 GHz

Obtenga más información

Hoja de datos

408En existencias

Cinta cortada

$21.942

$2.853

$2.669

Envase tipo carrete

$2.556

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

GaAs

60 mA

4 V

10 MHz to 4 GHz

12.3 dB

21.5 dBm

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

ARF460BG
Microchip Technology
1: $57.442
69En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ARF460BG

N.º de artículo de Mouser
494-ARF460BG

Microchip Technology

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

Hoja de datos

69En existencias

$57.442

$57.177

$47.811

$39.784

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

14 A

500 V

65 MHz

13 dB

150 W

- 55 C

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz

TAV1-541NM+
Mini-Circuits
1: $18.251
477En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TAV1-541NM+

N.º de artículo de Mouser
139-TAV1-541NM+

Mini-Circuits

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) SMT Low Noise Amplifier, 45 MHz - 6 GHz

Obtenga más información

Hoja de datos

477En existencias

Cinta cortada

$18.251

$2.658

$2.546

$2.178

Envase tipo carrete

$2.127

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

GaAs

60 mA

4 V

45 MHz to 6 GHz

8.9 dB

20.3 dBm

- 40 C

+ 85 C

SMD/SMT

1.4 mm x 1.2 mm

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB

UF28100V
MACOM
1: $367.211
14En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF28100V

N.º de artículo de Mouser
937-UF28100V

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB

Hoja de datos

14En existencias

$367.211

$310.085

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

12 A

65 V

100 MHz to 500 MHz

10 dB

100 W

- 55 C

+ 150 C

SMD/SMT

744A-01

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP

BLC2425M10LS250Y
Ampleon
1: $124.179
39En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
BLC2425M10LS250Y

N.º de artículo de Mouser
94-BLC2425M10LS250Y

Nuevo en Mouser

Ampleon

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP

Hoja de datos

39En existencias

Cinta cortada

$124.179

$103.290

Envase tipo carrete

$94.067

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

N-Channel

LDMOS

65 V

40.5 mOhms

2.4 GHz to 2.5 GHz

14.4 dB

250 W

+ 225 C

SMD/SMT

SOT1270-1-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H

MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
1: $278.849
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP5600HR6

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR6

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Cinta cortada

$278.849

$251.232

Envase tipo carrete

$251.232

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 150

N-Channel

130 V

1.8 MHz to 600 MHz

25 dB

600 W

+ 150 C

SMD/SMT

NI-1230

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

MWT-PH8F
CML Micro
10: $92.912
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MWT-PH8F

N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH8F

CML Micro

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications

Obtenga más información

Hoja de datos

100En existencias

$92.912

$92.871

$85.929

Ver

Min.: 10
Mult.: 10

GaAs

250 mA to 300 mA

8 V

18 GHz

11 dB

30 dBm

+ 150 C

Die

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB

MRF157
MACOM
1: $1.205.137
8En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF157

N.º de artículo de Mouser
937-MRF157

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB

Obtenga más información

Hoja de datos

8En existencias

$1.205.137

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

60 A

125 V

80 MHz

21 dB

600 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

PD55003S-E
STMicroelectronics
1: $11.288
466En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55003S-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55003S-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.

Hoja de datos

466En existencias

$11.288

$7.801

$7.444

$7.249

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

40 V

1 GHz

17 dB

3 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Straight-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

PD55015-E
STMicroelectronics
1: $23.772
165En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PD55015-E

N.º de artículo de Mouser
511-PD55015-E

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor

Hoja de datos

165En existencias

$23.772

$17.167

$15.961

$15.910

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

40 V

1 GHz

14 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

PowerSO-10RF-Formed-4

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp

SD57045
STMicroelectronics
1: $105.202
51En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SD57045

N.º de artículo de Mouser
511-SD57045

STMicroelectronics

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp

Hoja de datos

51En existencias

$105.202

$83.955

$79.702

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

65 V

1 GHz

13 dB

45 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

M243

Bulk

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS

MRF174
MACOM
1: $156.428
70En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF174

N.º de artículo de Mouser
937-MRF174

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS

Hoja de datos

70En existencias

$156.428

$126.061

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

13 A

65 V

200 MHz

9 dB

125 W

- 65 C

+ 200 C

Screw Mount

211-07

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.4 uA
774 uA
1 mA
1.27 mA
1.93 mA
6 mA
10 mA
15 mA
26 mA
40 mA to 60 mA
50 mA
60 mA
60 mA to 80 mA
64 mA
85 mA
90 mA to 120 mA
100 mA
120 mA
125 mA
150 mA

3 V
4 V
4.5 V
6.5 V
7.5 V
8 V
10 V
12 V
12.5 V
20 V
25 V
28 V
30 V
32 V
40 V
48 V
50 V
52 V
55 V
60 V

26 mOhms
30 mOhms
35 mOhms
40.5 mOhms
43 mOhms
45.5 mOhms
50 mOhms
52.5 mOhms
54 mOhms
54.7 mOhms, 111 mOhms
57.4 mOhms, 111 mOhms
57.5 mOhms
58.4 mOhms, 111 mOhms
60 mOhms
60 mOhms, 90 mOhms
62 mOhms, 108 mOhms
65 mOhms, 111 Ohms
65 mOhms, 111 mOhms
65.26 mOhms, 126.67 mOhms
65.3 mOhms, 111 mOhms

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 2 GHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.215 MHz to 960 MHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 512 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
2 MHz to 175 MHz
10 MHz to 4 GHz

6.4 dB
8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
11 dB
11.2 dB
11.5 dB
12 bB
12 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB
13.4 dB
13.5 dB

200 mW
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
12 W
14 W
15 W
16 W
16 dBm
18 W
20 W
20 dBm
20.3 dBm

1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
333-04
333-4
368-3
375-04
744A-01
A2-3
ACC-1230-6F-2-7
ACC-1230-6F-3-7
ACC-1230-6G-2-7
B2-3
B4E-5