Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M208
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174
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VRF161
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174
Microchip Technology VRF161MP
VRF161MP
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494-VRF161MP
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174
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Si
20 A
180 V
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24 dB
200 W
- 65 C
+ 150 C
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 280 W, 28 V, 2.4 to 2.5 GHz RF Power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF2L24280CB4
RF2L24280CB4
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511-RF2L24280CB4
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 280 W, 28 V, 2.4 to 2.5 GHz RF Power LDMOS transistor
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Si
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF4L10700CB4
RF4L10700CB4
STMicroelectronics
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511-RF4L10700CB4
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
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Si
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 650 W, 28/32 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF4L15400CB4
RF4L15400CB4
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511-RF4L15400CB4
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 650 W, 28/32 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
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Si
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L051K0CB4
RF5L051K0CB4
STMicroelectronics
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511-RF5L051K0CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
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Detalles
Si
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.5 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L051K5CB4
RF5L051K5CB4
STMicroelectronics
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$167.165
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511-RF5L051K5CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.5 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
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Mult.: 100
Detalles
Si
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 2 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L052K0CB4
RF5L052K0CB4
STMicroelectronics
100:
$169.066
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N.º de artículo de Mouser
511-RF5L052K0CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 2 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
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Mult.: 100
Detalles
Si
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 550 W, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L05500CB4
RF5L05500CB4
STMicroelectronics
100:
$119.623
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L05500CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 550 W, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
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Detalles
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L05750CF2
RF5L05750CF2
STMicroelectronics
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$118.649
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N.º de artículo de Mouser
511-RF5L05750CF2
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor
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Mult.: 100
Detalles
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 950 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L05950CF2
RF5L05950CF2
STMicroelectronics
100:
$119.348
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L05950CF2
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 950 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor
No en existencias
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Min.: 100
Mult.: 100
Detalles
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, 960 to 1215 MHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L0912750CB4
RF5L0912750CB4
STMicroelectronics
100:
$195.584
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N.º de artículo de Mouser
511-RF5L0912750CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, 960 to 1215 MHz RF power LDMOS transistor
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Mult.: 100
Detalles
Si
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L10111K0CB4
RF5L10111K0CB4
STMicroelectronics
100:
$195.584
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L10111K0CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor
No en existencias
Comprar
Min.: 100
Mult.: 100
Detalles
Si
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L1214750CB4
RF5L1214750CB4
STMicroelectronics
100:
$195.584
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L1214750CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor
No en existencias
Comprar
Min.: 100
Mult.: 100
Detalles
Si
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L15030CB2
RF5L15030CB2
STMicroelectronics
180:
$50.309
No en existencias
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15030CB2
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
No en existencias
Comprar
Min.: 180
Mult.: 180
Detalles
Si
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) .500 DIA 4-L W/FLG
STMicroelectronics SD2931-14
SD2931-14
STMicroelectronics
50:
$66.754
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-14
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) .500 DIA 4-L W/FLG
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
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Min.: 50
Mult.: 50
Si
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