Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

Dual N-Channel Si 65 V 380 mOhms 1.805 GHz to 2.17 GHz 17.2 dB 55 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete: 250

Dual N-Channel Si 65 V 380 mOhms 1.805 GHz to 2.17 GHz 17.2 dB 55 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

Dual N-Channel Si 65 V 30 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16 dB 420 W + 225 C SMD/SMT H-37275G-6/2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete: 250

Dual N-Channel Si 65 V 30 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16 dB 420 W + 225 C SMD/SMT H-37275G-6/2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

Dual N-Channel Si 65 V 90 mOhms 2.11 GHz to 2.17 GHz 16 dB 430 W + 225 C SMD/SMT H-37275G-6/2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

N-Channel Si 65 V 50 mOhms 1.805 GHz to 1.99 GHz 20.5 dB 150 W + 225 C SMD/SMT H-37248G-4/2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete: 250

N-Channel Si 65 V 50 mOhms 1.805 GHz to 1.99 GHz 20.5 dB 150 W + 225 C SMD/SMT H-37248G-4/2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete: 250

N-Channel Si 65 V 30 mOhms 1.805 GHz to 1.99 GHz 20.5 dB 220 W + 225 C SMD/SMT H-37288G-4/2 Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50
Si Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete: 250
Si Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

Si Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete: 250

Si Reel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 38 Semanas

N-Channel Si 16 A 125 V 150 MHz 17 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 221-11-3 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas

N-Channel Si 16 A 125 V 175 MHz 13 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 221-11-3 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas

N-Channel Si 40 A 125 V 175 MHz 14 dB 300 W - 65 C + 150 C SMD/SMT Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si Bulk
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si Bulk
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si Bulk
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier Doherty, 2615-2675 MHz, PXAE261908NF LDMOS FET included
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
No
Si 10 mA 65 V 80 mOhms 2.515 GHz to 2.675 GHz 13.5 dB 240 W + 225 C Screw Mount Bulk
CML Micro MWT-11F
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10
N-Channel GaAs 9 dB 32 dBm SMD/SMT Die Gel Pack
Microchip Technology ARF1511
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

Si
Microchip Technology ARF463BG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 30
Mult.: 30

Si Tube
Microchip Technology ARF468BG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 25
Mult.: 25

N-Channel Si 22 A 500 V 300 mOhms 45 MHz 15 dB 300 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
Microchip Technology ARF469AG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 25
Mult.: 25

Si Tube
Microchip Technology ARF469BG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 350 W 45 MHz TO-264
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Tube