Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Resultados: 627
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D0910-05AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

LDMOS 65 V 859 MHz to 960 MHz 21 dB 5 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D1819-08AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 1.88 GHz 30 dB 8 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 31.3 dB 45.9 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D1920-08AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

LDMOS 65 V 1.88 GHz to 2.025 GHz 26.8 dB 39.6 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2022-08AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

LDMOS 65 V 2.11 GHz to 2.17 GHz 29 dB 39.2 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2324-08AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.4 GHz 29 dB 40 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 31.3 dB 44.8 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2527-09AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

LDMOS 65 V 2.496 GHz to 2.7 GHz 28 dB 40 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2527-09AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

LDMOS 65 V 2.496 GHz to 2.7 GHz 28 dB 40 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D3336-12AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.65 GHz 35.5 dB 40.9 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D3336-14AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.65 GHz 31 dB 41.5 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D3438-16AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

LDMOS 65 V 3.4 GHz to 3.8 GHz 29.5 dB 42 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D3538-12AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

LDMOS 65 V 3.4 GHz to 3.8 GHz 36 dB 40 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D3740-16AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

LDMOS 65 V 3.7 GHz to 4 GHz 29 dB 41.5 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D3740-16AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

LDMOS 65 V 3.7 GHz to 4 GHz 29 dB 41.5 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D3842-16AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

LDMOS 65 V 3.8 GHz to 4.2 GHz 28 dB 40.5 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30G/TO270/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

N-Channel Si 1.4 uA 108 V 400 MHz to 860 MHz + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30G/TO270/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

N-Channel Si 1.4 uA 108 V 400 MHz to 860 MHz + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0408H9S30/SOT1482/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

N-Channel LDMOS 50 V 1.2 Ohms 400 MHz to 860 MHz 20.2 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20GZ/SOT1483/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

N-Channel LDMOS 65 V 500 mOhms 400 MHz to 2.7 GHz 19 dB 20 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP0427M9S20Z/SOT1482/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

N-Channel LDMOS 65 V 500 mOhms 400 MHz to 2.7 GHz 19 dB 20 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10G/TO270/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

N-Channel LDMOS 50 V 3.2 Ohms 2 GHz 21 dB 10 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S10/TO270/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

N-Channel LDMOS 50 V 3.2 Ohms 2 GHz 21 dB 10 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30/TO270/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

N-Channel LDMOS 50 V 890 mOhms 2 GHz 22 dB 30 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S100G/TO270/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

N-Channel LDMOS 65 V 143 mOhms 1.5 GHz 16 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel