Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

N-Channel Si 40 A 200 V 100 MHz 24 dB 300 W + 150 C SMD/SMT M177 Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

N-Channel Si 8 A 65 V 60 W - 65 C + 200 C Screw Mount M246 Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 4 Amp
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 13 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M243-3 Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 4 Amp
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 13 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M250 Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M250 Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 120
Mult.: 120
Carrete: 120

N-Channel Si 90 V 945 MHz 13.4 dB 250 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 300
Carrete: 300

N-Channel Si 90 V 930 MHz 21 dB 12 W + 200 C SMD/SMT MM-2 Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

N-Channel Si 9 A 90 V 1.5 GHz + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 80
Mult.: 80

N-Channel Si 20 A 250 V 250 MHz 24.6 dB 580 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC-244B Bulk
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
N-Channel Si 30 A 500 V 330 mOhms 30 MHz - 55 C + 175 C Screw Mount
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
N-Channel Si 75 A 180 V 17 dB + 200 C Screw Mount
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
N-Channel Si 75 A 180 V 17 dB + 200 C Screw Mount
Toshiba Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

N-Channel Si 3 A 10 V 470 MHz 13.5 dB 2.2 W SMD/SMT PW-X-4 Reel
Toshiba Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

N-Channel Si 100 mA 20 V 520 MHz 13 dB 200 mW SMD/SMT SOT-343-4 Reel
Toshiba Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

N-Channel Si 4 A 20 V 520 MHz 10.8 dB 12 W SMD/SMT PW-X-4 Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240
N-Channel Si 1.8 MHz to 50 MHz 28.2 dB 330 W + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

N-Channel Si 6 mA 65 V 2 MHz to 175 MHz 13 dB 120 W SMD/SMT
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
Hoja de datos
Plazo de entrega 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 9 A 65 V 200 MHz 13 dB 80 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 221-11-3 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20

N-Channel Si 13 A 65 V 500 MHz 8.8 dB 100 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 333-04 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 20
Mult.: 20
N-Channel Si 65 V 100 MHz to 500 MHz 10 dB 40 W - 55 C + 150 C SMD/SMT 319-07 Tray
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

GaAs 90 mA to 120 mA 26 GHz 16 dB 25 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

GaAs 160 mA to 200 mA 18 GHz 13 dB 28.5 dBm + 150 C Die Bulk
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

GaAs 40 mA to 60 mA 28 GHz 14 dB 21.5 dBm + 150 C Die Bulk
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PEG/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

N-Channel LDMOS 65 V 497 mOhms 1 MHz to 650 MHz 31.2 dB 150 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel