Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 68

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm

TK3P50D,RQ(S
Toshiba
1: $2.301
1.997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3P50D,RQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TK3P50DRQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm

Obtenga más información

Hoja de datos

1.997En existencias

Cinta cortada

$2.301

$1.442

$954

$757

Envase tipo carrete

$615

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

3 A

3 Ohms

- 30 V, 30 V

2.4 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 70A 410W MOSVII 160nC .0029

TK70J20D,S1Q
Toshiba
1: $9.356
75En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK70J20D,S1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TK70J20DS1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 70A 410W MOSVII 160nC .0029

Hoja de datos

75En existencias

$9.356

$6.390

$5.266

$4.683

$4.407

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PN-3

N-Channel

1 Channel

200 V

70 A

27 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

160 nC

- 55 C

+ 150 C

410 W

Enhancement

MOSVII

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 525V 35W 490pF 1.7 Ohm

TK4A53D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.147
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4A53D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK4A53DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 525V 35W 490pF 1.7 Ohm

Obtenga más información

Hoja de datos

300En existencias

$2.147

$1.350

$885

$702

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

525 V

4 A

1.7 Ohms

35 W

MOSVII

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51

TK3A65DA(STA4,QM)
Toshiba
1: $2.331
240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3A65DA(STA4,QM)

N.º de artículo de Mouser
757-TK3A65DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51

Obtenga más información

Hoja de datos

240En existencias

$2.331

$1.319

$999

$771

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

2.5 A

2.51 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72

TK10A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.873
253En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK10A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72

Obtenga más información

Hoja de datos

253En existencias

$2.873

$1.421

$1.268

$1.000

$906

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

10 A

620 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55

TK12A60D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $4.049
199En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK12A60D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A60DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55

Obtenga más información

Hoja de datos

199En existencias

$4.049

$2.055

$1.902

$1.493

$1.442

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27

TK18A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $4.908
94En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK18A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK18A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27

Obtenga más información

Hoja de datos

94En existencias

$4.908

$2.526

$2.239

$1.881

$1.871

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

18 A

270 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm

TK6A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.924
341En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK6A65D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK6A65DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm

Obtenga más información

Hoja de datos

341En existencias

$2.924

$1.452

$1.329

$1.010

$928

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

1.11 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029

TK11A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.832
103En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK11A45D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK11A45DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029

Obtenga más información

Hoja de datos

103En existencias

$2.832

$1.401

$1.299

$1.005

$880

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

450 V

11 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47

TK13A50DA(STA4,Q,M
Toshiba
1: $3.732
124En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK13A50DA(STA4,Q,M

N.º de artículo de Mouser
757-TK13A50DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47

Obtenga más información

Hoja de datos

124En existencias

$3.732

$2.260

$1.759

$1.370

$1.278

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

12.5 A

390 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ

TK13P25D,RQ
Toshiba
1: $1.810
1.516En existencias
2.000Se espera el 17-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
TK13P25D,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK13P25DRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ

Obtenga más información

Hoja de datos

1.516En existencias

2.000Se espera el 17-08-2026

Cinta cortada

$1.810

$1.155

$769

$605

Envase tipo carrete

$508

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

13 A

250 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

96 W

Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

TK18A30D,S5X
Toshiba
1: $2.761
93En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK18A30D,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK18A30DS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

Obtenga más información

Hoja de datos

93En existencias

$2.761

$1.360

$1.176

$976

$852

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

300 V

18 A

139 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25

TK19A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $5.061
53En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK19A45D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK19A45DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25

Obtenga más información

Hoja de datos

53En existencias

$5.061

$2.618

$2.362

$1.953

$1.932

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

450 V

19 A

250 mOhms

50 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26

TK2A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.178
194En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK2A65D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK2A65DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26

Obtenga más información

Hoja de datos

194En existencias

$2.178

$1.053

$955

$742

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

2 A

3.26 Ohms

- 30 V, 30 V

2.4 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm

TK3A60DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $1.912
41En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3A60DA(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK3A60DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm

Obtenga más información

Hoja de datos

41En existencias

$1.912

$913

$789

$634

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

2.5 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

2.4 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm

TK3A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.352
134En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3A65D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK3A65DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm

Obtenga más información

Hoja de datos

134En existencias

$2.352

$1.145

$1.053

$814

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3 A

2.25 Ohms

- 30 V, 30 V

2.4 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm

TK4A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $1.442
282En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK4A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm

Obtenga más información

Hoja de datos

282En existencias

$1.442

$676

$675

$467

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

500 V

4 A

2 Ohms

30 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm

TK4P60DB(T6RSS-Q)
Toshiba
1: $1.984
55En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4P60DB(T6RSS-Q)

N.º de artículo de Mouser
757-TK4P60DBT6RSS-Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm

Obtenga más información

Hoja de datos

55En existencias

Cinta cortada

$1.984

$1.227

$804

$632

Envase tipo carrete

$471

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3.7 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4.4 V

11 nC

+ 150 C

80 W

Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(OS) MOQ=2000 V=600 PD=80W F=1MHZ

TK4P60D,RQ
Toshiba
1: $1.902
1.354En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4P60D,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK4P60DRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(OS) MOQ=2000 V=600 PD=80W F=1MHZ

Obtenga más información

Hoja de datos

1.354En existencias

Cinta cortada

$1.902

$1.176

$774

$608

Envase tipo carrete

$471

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

1.7 Ohms

- 30 V, 30 V

2.4 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm

TK5A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.117
250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5A55D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK5A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm

Obtenga más información

Hoja de datos

250En existencias

$2.117

$1.227

$926

$719

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

5 A

1.7 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm

TK5A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.566
164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5A65D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK5A65DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm

Obtenga más información

Hoja de datos

164En existencias

$2.566

$1.503

$1.145

$896

$768

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

5 A

1.43 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5A N-CH MOSFET

TK5A80E,S4X
Toshiba
1: $2.209
147En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5A80E,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK5A80ES4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5A N-CH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

147En existencias

$2.209

$1.401

$948

$768

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

2.4 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

TK5A90E,S4X
Toshiba
1: $2.556
131En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5A90E,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK5A90ES4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ

Obtenga más información

Hoja de datos

131En existencias

$2.556

$1.626

$1.094

$890

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

4.5 A

3.1 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm

TK5P50D(T6RSS-Q)
Toshiba
1: $2.280
749En existencias
2.000Se espera el 03-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
TK5P50D(T6RSS-Q)

N.º de artículo de Mouser
757-TK5P50DT6RSS-Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm

Obtenga más información

Hoja de datos

749En existencias

2.000Se espera el 03-07-2026

Cinta cortada

$2.280

$1.442

$976

$791

Envase tipo carrete

$664

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

5 A

1.3 Ohms

- 30 V, 30 V

4.4 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 500V 35W 600pF 1.22

TK7A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.229
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 500V 35W 600pF 1.22

Obtenga más información

Hoja de datos

5En existencias

$2.229

$1.084

$923

$752

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

7 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

4.4 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVII

Tube

π-MOS VII MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2 A
2.5 A
3 A
3.5 A
3.7 A
4 A
4.5 A
5 A
5.5 A
6 A
6.5 A
7 A
7.5 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A

27 mOhms
70 mOhms
139 mOhms
250 mOhms
270 mOhms
330 mOhms
370 mOhms
390 mOhms
400 mOhms
460 mOhms
480 mOhms
500 mOhms
520 mOhms
550 mOhms
570 mOhms
580 mOhms
600 mOhms
620 mOhms
720 mOhms
760 mOhms