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ROHM Semiconductor Automotive 40A & 80A Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Automotive 40A and 80A Power MOSFETs are N-channel and P-channel devices. These AEC-Q101 qualified MOSFETs feature low on-resistance, ±80A/±160A pulsed drain current, and up to 142W power dissipation. The 40A and 80A power MOSFETs operate from -55°C to 175°C temperature range and are 100% avalanche tested. These power MOSFETs are ideal for ADAS, automotive, and lighting applications.

Features

  • Low on-resistance
  • ±80A/±160A pulsed drain current
  • Up to 142W power dissipation
  • -55°C to 175°C range temperature range
  • 100% avalanche tested
  • Pb-free plating
  • RoHS compliant

Applications

  • ADAS
  • Automotive
  • Lighting

Datasheets

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N.º de artículo Hoja de datos Tiempo de caída Transconductancia hacia delante - Mín. Id - Corriente de drenaje continua Dp - Disipación de potencia Qg - Carga de puerta Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Polaridad del transistor Tiempo de retardo de apagado típico Tiempo típico de demora de encendido Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
RD3E08BBJHRBTL RD3E08BBJHRBTL Hoja de datos 180 ns 20 S 80 A 142 W 150 nC 3.7 mOhms P-Channel 220 ns 19 ns 30 V - 20 V, 5 V 2.5 V
RD3G08DBKHRBTL RD3G08DBKHRBTL Hoja de datos 15 ns 12.1 S 80 A 76 W 28 nC 4.1 mOhms N-Channel 56 ns 18 ns 40 V 20 V 2.5 V
RH7G04BBJFRATCB RH7G04BBJFRATCB Hoja de datos 97 ns 14 S 40 A 75 W 25 nC 11.9 mOhms P-Channel 175 ns 14 ns 40 V - 20 V, 5 V 2.5 V
AG091FLD3HRBTL AG091FLD3HRBTL Hoja de datos 11 ns 12 S 80 A 76 W 22 nC 7.5 mOhms N-Channel 50 ns 18 ns 60 V 20 V 2.5 V
RD3L08DBKHRBTL RD3L08DBKHRBTL Hoja de datos 11 ns 12 S 80 A 76 W 22 nC 7.5 mOhms N-Channel 50 ns 18 ns 60 V 20 V 2.5 V
Publicado: 2025-05-19 | Actualizado: 2025-10-09