Automotive 40A & 80A Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Automotive 40A and 80A Power MOSFETs are N-channel and P-channel devices. These AEC-Q101 qualified MOSFETs feature low on-resistance, ±80A/±160A pulsed drain current, and up to 142W power dissipation. The 40A and 80A power MOSFETs operate from -55°C to 175°C temperature range and are 100% avalanche tested. These power MOSFETs are ideal for ADAS, automotive, and lighting applications.

Resultados: 5
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 30V 80A
Hoja de datos
2.241En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 30 V 80 A 3.7 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 40V 80A
Hoja de datos
2.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.1 mOhms 20 V 2.5 V 28 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN3333 P-CH 40V 40A
Hoja de datos
2.400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000
Si SMD/SMT DFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 11.9 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 80A
Hoja de datos
1.677En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 7.5 mOhms 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 80A
Hoja de datos
1.742En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 7.5 mOhms 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape