Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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RD3x Automotive N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RD3x Automotive N-Channel Power MOSFETs are high-performance switching and rectifier devices designed for use in a wide range of power and signal applications. The AEC-Q101-qualified ROHM RD3x components feature low forward voltage, fast recovery time, and high surge current capability, making the MOSFETs ideal for efficient power conversion and protection in compact electronic systems. With options tailored for automotive, industrial, and consumer electronics, the RD3 family supports applications such as DC-DC converters, motor drivers, LED lighting, and battery-powered devices. A compact surface-mount (TO-252-3) package and low leakage current contribute to space-saving and energy-efficient designs, while high reliability ensures stable performance under demanding conditions.

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Resultados: 20

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Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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AEC-Q101

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755-RD3S100AAFRATL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

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RD3H200SNFRATL
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RD3L150SNFRATL
ROHM Semiconductor
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TO-252-3

N-Channel

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60 V

15 A

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- 20 V, 20 V

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18 nC

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 40V 80A

RD3G08DBKHRBTL
ROHM Semiconductor
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RD3G08DBLHRBTL
ROHM Semiconductor
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RD3L08DBKHRBTL
ROHM Semiconductor
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RD3P06BBLHRBTL
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RD3P050SNFRATL
ROHM Semiconductor
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RD3P050SNFRATL

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755-RD3P050SNFRATL

ROHM Semiconductor

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AEC-Q101

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RD3L080SNFRATL
ROHM Semiconductor
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RD3L080SNFRATL

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755-RD3L080SNFRATL

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252

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TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

8 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

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+ 150 C

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AEC-Q101

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ROHM Semiconductor
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RD3G08BBLHRBTL

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755-RD3G08BBLHRBTL

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+ 175 C

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3L08BBKHRBTL
ROHM Semiconductor
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RD3L08BBKHRBTL

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755-RD3L08BBKHRBTL

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TO-252-3

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1 Channel

60 V

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20 V

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- 55 C

+ 175 C

142 W

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

RD3L08BBLHRBTL
ROHM Semiconductor
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2.500Se espera el 23-02-2026
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RD3L08BBLHRBTL

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755-RD3L08BBLHRBTL

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$1.322

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TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

3.3 mOhms

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62 nC

- 55 C

+ 175 C

142 W

Enhancement

AEC-Q101

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RD3L08CBKHRBTL
ROHM Semiconductor
1: $2.901
2.500Se espera el 23-02-2026
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RD3L08CBKHRBTL

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755-RD3L08CBKHRBTL

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$860

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SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

5.3 mOhms

20 V

2.5 V

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- 55 C

+ 175 C

96 W

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -68A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body.

RD3G06BBJHRBTL
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RD3G06BBJHRBTL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -68A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive, AEC-Q101 qualified. Ideal for ADAS and Info. and Lighting and Body.

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

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$672

$636

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1 Channel

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13.1 mOhms

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