Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
Microchip Technology VRF2933MP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
Hoja de datos
18En existencias
Min.: 1
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N-Channel Si 42 A 180 V 150 MHz 25 dB 300 W - 65 C + 150 C Screw Mount
MACOM DU2810S
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz
Hoja de datos
51En existencias
Min.: 1
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N-Channel Si 2.8 A 65 V 175 MHz 13 dB 10 W + 200 C Screw Mount
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
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115En existencias
Min.: 1
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N-Channel Si 4 A 25 V 1 GHz 12 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
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580En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 600

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
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450En existencias
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Carrete: 1.000

N-Channel Si 3 A 12 V 470 MHz 11.5 dB 36.5 dBm + 150 C SMD/SMT PW-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
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90En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 250

N-Channel Si 65 V 80 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 13.5 dB 400 W + 225 C Screw Mount HB2SOF-8-1 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
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313En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 500

N-Channel Si 8 A 40 V 136 MHz to 520 MHz 18.5 dB 70 W - 40 C + 150 C SMD/SMT TO-270-WBG-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
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18En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

Dual N-Channel Si 2.5 A 95 V 1 Ohms 1 GHz 20 dB 120 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM MRF175GU
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS
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5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si
Microchip Technology ARF468AG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
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26En existencias
Min.: 1
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Si Tube
Microchip Technology ARF465BG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
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27En existencias
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Mult.: 1

N-Channel Si 6 A 1.2 kV 60 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY
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190En existencias
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Dual N-Channel LDMOS 55 V 69 mOhms 1 MHz to 500 MHz 24.6 dB 1.9 kW + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY
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120En existencias
Min.: 1
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Dual N-Channel GaN SiC 50 V 2.4 GHz to 2.5 GHz 16 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT1214B-5 Tray
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
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110En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 120

N-Channel Si 2.5 A 110 V 1 Ohms 1 GHz 19 dB 400 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY
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55En existencias
Min.: 1
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N-Channel LDMOS 1.4 uA 108 V 24 dB 170 W + 225 C SMD/SMT SOT-467B-2 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY
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31En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel LDMOS 1.4 uA 108 V 24 dB 170 W + 225 C SMD/SMT SOT-467C-2 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
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58En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

N-Channel LDMOS 1.4 uA 108 V 23.8 dB 170 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1 Reel, Cut Tape
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FES/SOT539/TRAY
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511En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel LDMOS 65 V 100 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28.4 dB 2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL
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87En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 107 mOhms 29 dB + 225 C SMD/SMT ACC-1230-6G-2-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
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20En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 120

N-Channel Si 2.5 A 65 V 1 Ohms 1.6 GHz 14 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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3.618En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 8.8 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 21.1 dB 115 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-220-3 Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Hoja de datos
370En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
Hoja de datos
65En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 25.1 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C Screw Mount NI-1230H-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
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8.571En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

N-Channel Si 4 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 20.9 dB 4.9 W - 40 C + 150 C SMD/SMT SOT-89-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
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5.633En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

N-Channel Si 3 A 30 V 136 MHz to 941 MHz 15.2 dB 7.3 W - 40 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5 Reel, Cut Tape, MouseReel