Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS250/SOT1270/REELDP
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64En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

N-Channel LDMOS 65 V 40.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.4 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT1270-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET 306En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

N-Channel Si 10 mA 65 V 2 Ohms 900 MHz to 2.7 GHz 19.5 dB 5 W + 225 C SMD/SMT SON-10 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
Hoja de datos
215En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 7 A 40 V 1 GHz 14.5 dB 25 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177
Hoja de datos
70En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 50 A 180 V 30 MHz 25 dB 400 W - 65 C + 150 C Screw Mount
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB
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8En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 60 A 125 V 80 MHz 21 dB 600 W - 65 C + 150 C SMD/SMT Tray

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
Hoja de datos
70En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 6.5 A 1 kV 65 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
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472En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
Hoja de datos
43En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 20 A 200 V 250 MHz 14.8 dB 150 W + 150 C SMD/SMT M174 Bulk


MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz
Hoja de datos
17En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 4 A 65 V 30 MHz to 90 MHz 13 dB 8 W + 200 C Screw Mount
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
Hoja de datos
70En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 1 A 65 V 500 MHz 18 dB 4 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 249-06 Tray
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
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148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 7 A 40 V 1 GHz 14.5 dB 25 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
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784En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

N-Channel Si 50 mA 68 V 1 MHz to 2 GHz 19 dB 4 W + 150 C SMD/SMT PLD-1.5 Reel, Cut Tape
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB
Hoja de datos
18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 32 A 65 V 175 MHz 12 dB 300 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 375-04 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB
Hoja de datos
72En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 4 A 65 V 500 MHz 13.5 dB 20 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 319-07 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
Hoja de datos
18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 12 A 65 V 100 MHz to 500 MHz 10 dB 100 W - 55 C + 150 C SMD/SMT 744A-01 Tray
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
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5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 24.4 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel, Cut Tape
Microchip Technology VRF150MP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174
Hoja de datos
15En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 16 A 180 V 150 MHz 18 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount


MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz
Hoja de datos
22En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 24 A 65 V 175 MHz 13 dB 20 W + 200 C Screw Mount
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL
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79En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

N-Channel LDMOS 65 V 185 mOhms 2 GHz 17.8 dB 70 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2F-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Mini-Circuits Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LOW NOISE AMPL / SM / RoHS
Hoja de datos
61En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 500

N-Channel GaAs 60 mA 4 V 10 MHz to 4 GHz 12 dB 21.3 dBm - 40 C + 85 C SMD/SMT MCLP-4 Reel, Cut Tape, MouseReel

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 26 GHz Medium Power Packaged GaAs FET
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6En existencias
100Se espera el 17-03-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

GaAs 26 mA 173 Ohms 26 GHz 11 dB 20 dBm + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
Hoja de datos
5En existencias
250En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 20 A 125 V 175 MHz 14 dB 150 W + 200 C Screw Mount Bulk
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70G/TO270/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega 16 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

N-Channel LDMOS 65 V 370 mOhms 2 GHz 19.3 dB 100 W + 225 C SMD/SMT TO-270-2G-1-3 Reel, Cut Tape, MouseReel

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10
N-Channel GaAs 18 GHz 12 dB 30 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
Microchip Technology ARF465AG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
Hoja de datos
281En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 6 A 1.2 kV 60 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole Tube