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MOSVII Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 69

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Nombre comercial = MOSVII

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 500V 35W 600pF 1.22

TK7A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.162
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 500V 35W 600pF 1.22

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$841

$737

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N-Channel

1 Channel

500 V

7 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

4.4 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ

TK8A25DA,S4X
Toshiba
1: $1.557
19En existencias
800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TK8A25DA,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A25DAS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=30W F=1MHZ

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19En existencias

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$1.557

$809

$643

$503

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N-Channel

1 Channel

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7.5 A

500 mOhms

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30 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8A 450V 35W 700pF 0.9 Ohm

TK8A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.240
244En existencias

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TK8A45D(STA4,Q,M)

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757-TK8A45DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8A 450V 35W 700pF 0.9 Ohm

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$2.240

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$1.096

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8 A

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- 30 V, 30 V

4.4 V

16 nC

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+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

TK8A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.318
337En existencias
250Se espera el 16-03-2026

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TK8A50D(STA4,Q,M)

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757-TK8A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

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$2.318

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$1.142

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16 nC

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Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

TK8A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $3.282
233En existencias

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TK8A65D(STA4,Q,M)

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757-TK8A65DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

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$3.282

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$1.568

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8 A

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2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8.5A 550V 40W 1050pF 0.86

TK9A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.811
200En existencias

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TK9A55DA(STA4,Q,M)

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757-TK9A55DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8.5A 550V 40W 1050pF 0.86

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$2.811

$1.478

$1.434

$1.071

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N-Channel

1 Channel

550 V

8.5 A

860 mOhms

40 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 15A 600V 50W 2600pF 0.37

TK15A60D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $3.573
150Se espera el 26-02-2026

N.º de artículo del Fabricante
TK15A60D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK15A60DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 15A 600V 50W 2600pF 0.37

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150Se espera el 26-02-2026

$3.573

$2.318

$1.691

$1.422

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15 A

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2 V

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+ 150 C

50 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm

TK8A50DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.419
149En pedido

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TK8A50DA(STA4,Q,M)

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757-TK8A50DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm

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149En pedido

$2.419

$1.389

$1.058

$874

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7.5 A

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- 30 V, 30 V

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16 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm

TK2Q60D(Q)
Toshiba
1: $1.434
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

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TK2Q60D(Q)

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757-TK2Q60DQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2A 600V 60W 280pF 4.3 Ohm

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Cinta cortada

$1.434

$911

$529

Envase tipo carrete

$529

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Carrete: 200

Through Hole

PW-Mold2-3

N-Channel

1 Channel

600 V

2 A

4.3 Ohms

- 30 V, 30 V

2.4 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10A

TK10A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $3.382
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK10A55D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10A

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$3.382

$1.837

$1.478

$1.232

$1.080

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TO-220FP-3

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1 Channel

550 V

10 A

720 mOhms

45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm

TK11A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $3.147
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK11A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK11A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm

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$3.147

$1.557

$1.411

$1.165

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1 Channel

500 V

11 A

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MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 520 mOhms

TK11A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $3.662
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK11A55D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK11A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 520 mOhms

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$3.662

$2.139

$1.736

$1.445

$1.221

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

500 V

11 A

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25 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52

TK12A45D,S5Q(J
Toshiba
1: $3.349
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N.º de artículo del Fabricante
TK12A45D,S5Q(J

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A45DS5QJ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52

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$3.349

$2.173

$1.579

$1.322

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MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52

TK12A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $3.293
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

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TK12A45D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A45DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52

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$3.293

$1.781

$1.445

$1.198

$1.048

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

450 V

12 A

520 mOhms

45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 525V 45W 1350pF .58

TK12A53D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $3.651
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

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TK12A53D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A53DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 525V 45W 1350pF .58

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$3.651

$1.994

$1.635

$1.378

$1.210

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

525 V

12 A

580 mOhms

45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57

TK12A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $3.920
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK12A55D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57

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$3.920

$2.150

$1.792

$1.512

$1.333

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

12 A

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45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 450V 45W 1350pF 0.46

TK13A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $3.461
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK13A45D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK13A45DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 450V 45W 1350pF 0.46

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$3.461

$1.736

$1.568

$1.322

$1.154

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

450 V

13 A

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45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1800pF 0.40

TK13A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $4.032
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK13A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK13A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1800pF 0.40

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Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

$4.032

$2.050

$1.837

$1.602

$1.422

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

500 V

13 A

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45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12.5A 550V 45W 1800pF 0.48

TK13A55DA(STA4,QM)
Toshiba
1: $4.267
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK13A55DA(STA4,QM)

N.º de artículo de Mouser
757-TK13A55DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12.5A 550V 45W 1800pF 0.48

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$4.267

$2.363

$1.926

$1.658

$1.490

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Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

13.5 A

480 mOhms

45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25

TK13E25D,S1X(S
Toshiba
1: $3.853
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK13E25D,S1X(S

N.º de artículo de Mouser
757-TK13E25DS1XS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25

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$3.853

$1.949

$1.747

$1.422

$1.288

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

13 A

250 mOhms

102 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 14A 550V 50W 2300pF 0.37

TK14A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $4.491
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK14A55D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK14A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 14A 550V 50W 2300pF 0.37

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$4.491

$2.296

$2.083

$1.826

$1.646

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

14 A

370 mOhms

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MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 16A 550V 50W 2600pF 0.33

TK16A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.330
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16A55D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK16A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 16A 550V 50W 2600pF 0.33

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$1.490

$1.028

$871

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N-Channel

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550 V

16 A

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MOSVII

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.5A 550V 30W 380pF 2.45 Ohm

TK4A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba
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No en existencias

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TK4A55DA(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK4A55DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.5A 550V 30W 380pF 2.45 Ohm

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$2.173

$1.378

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$750

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

4 A

2.45 Ohms

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MOSVII

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 550V 35W 490pF 1.88

TK4A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
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TK4A55D(STA4,Q,M)

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757-TK4A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 550V 35W 490pF 1.88

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.5A 650V 35W 600pF 1.9 Ohm

TK4A65DA(STA4,Q,M)
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MOSVII Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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