Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Residential Energy Storage Systems (ESS)

Infineon Residential Storage Solutions (ESS) offers various products to create and manage resilient energy infrastructures. Infineon's distinctive expertise in energy generation, power conversion, transmission, and battery management makes it an ideal natural partner to advance Energy Storage Solutions, especially in terms of efficiency, innovation, performance, and optimal cost.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
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726-IPT60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Cinta cortada

$7.277

$4.933

$3.722

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Envase tipo carrete

$3.476

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

13 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

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- 55 C

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245 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R075CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: $4.717
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$4.717

$3.683

$2.649

$2.570

$2.403

Envase tipo carrete

$2.403

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

HSOF-8

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1 Channel

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33 A

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- 20 V, 20 V

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51 nC

- 55 C

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188 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

BSC093N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.027
11.741En existencias

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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$4.027

$2.550

$1.871

$1.684

$1.654

Envase tipo carrete

$1.576

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2

IPB017N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.145
26.685En existencias

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IPB017N10N5ATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2

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$6.145

$4.126

$2.984

$2.974

Envase tipo carrete

$2.777

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263-7

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100 V

180 A

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375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

IPB020N10N5ATMA1
Infineon Technologies
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6.556En existencias

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IPB020N10N5ATMA1

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726-IPB020N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2

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6.556En existencias

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$5.830

$3.909

$2.816

$2.777

Envase tipo carrete

$2.590

MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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375 W

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

IPB020N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
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5.565En existencias

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IPB020N10N5LFATMA1

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726-IPB020N10N5LFATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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$6.066

$4.067

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$2.925

Envase tipo carrete

$2.728

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

100 V

120 A

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210 nC

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375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8

IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.199
12.325En existencias
8.000Se espera el 02-03-2026

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IPT015N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT015N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8

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12.325En existencias

8.000Se espera el 02-03-2026

Cinta cortada

$5.199

$3.466

$2.481

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Envase tipo carrete

$2.216

MouseReel Disponible

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Carrete: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

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1 Channel

100 V

300 A

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375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $17.617
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IPW60R017C7XKSA1

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726-IPW60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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$17.617

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

109 A

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.327
1.070En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB048N15N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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$5.327

$3.555

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

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120 A

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- 20 V, 20 V

3 V

100 nC

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300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPB048N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
1: $6.804
3.481En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB048N15N5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB048N15N5LF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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3.481En existencias

Cinta cortada

$6.804

$4.599

$3.407

Envase tipo carrete

$3.181

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

150 V

120 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

313 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: $5.268
1.784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R075CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R075CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1.784En existencias

Cinta cortada

$5.268

$3.811

$2.747

$2.688

$2.550

Envase tipo carrete

$2.511

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SMD/SMT

VSON-4

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1 Channel

600 V

33 A

66 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

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+ 150 C

189 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8

IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.623
3.040En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT012N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8

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3.040En existencias

Cinta cortada

$5.623

$3.752

$2.698

$2.639

Envase tipo carrete

$2.462

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT059N15N3
Infineon Technologies
1: $4.904
1.333En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT059N15N3

N.º de artículo de Mouser
726-IPT059N15N3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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1.333En existencias

Cinta cortada

$4.904

$3.929

$3.181

$2.826

$2.738

Envase tipo carrete

$2.501

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

150 V

155 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPT059N15N3ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.061
1.037En existencias
2.000Se espera el 19-03-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT059N15N3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT059N15N3ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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1.037En existencias

2.000Se espera el 19-03-2026

Cinta cortada

$5.061

$3.801

$2.816

$2.738

$2.501

Envase tipo carrete

$2.501

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

150 V

155 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R045CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: $7.700
740En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R045CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R045CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

740En existencias

Cinta cortada

$7.700

$5.249

$4.027

$3.791

Envase tipo carrete

$3.762

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

600 V

52 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

270 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R031CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $10.113
806En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R031CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R031CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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806En existencias

$10.113

$6.017

$5.583

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

63 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

141 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $8.469
727En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

727En existencias

$8.469

$4.963

$4.431

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

109 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

IPB110N20N3LFATMA1
Infineon Technologies
1: $7.336
603En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB110N20N3LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB110N20N3LFATM

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V

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Hoja de datos

603En existencias

Cinta cortada

$7.336

$4.973

$3.762

Envase tipo carrete

$3.515

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

88 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

76 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R3K7P7AKMA1
Infineon Technologies
1: $1.310
2.153En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPU95R3K7P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU95R3K7P7AKMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

2.153En existencias

$1.310

$572

$510

$465

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

950 V

2 A

3.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $7.769
165En existencias
480Se espera el 19-03-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R055CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R055CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

165En existencias

480Se espera el 19-03-2026

$7.769

$5.268

$4.431

$3.801

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

38 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

79 nC

- 55 C

+ 150 C

178 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
1: $985
3.000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R4K5P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R4K5P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

3.000En existencias

$985

$423

$376

$308

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1.5 A

4.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

4 nC

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+ 150 C

13 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R035CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: $9.246
4.000Se espera el 27-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R035CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R035CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

4.000Se espera el 27-08-2026

Cinta cortada

$9.246

$6.342

$5.111

$4.796

Envase tipo carrete

$4.766

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

67 A

35 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

109 nC

- 55 C

+ 150 C

351 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $10.369
2.720En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R040C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2.720En pedido

$10.369

$6.184

$5.770

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R095CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: $4.933
2.999Se espera el 06-03-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R095CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R095CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2.999Se espera el 06-03-2026

Cinta cortada

$4.933

$3.279

$2.334

$2.216

$2.127

Envase tipo carrete

$2.117

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

51 nC

- 40 C

+ 150 C

147 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Residential Energy Storage Systems (ESS)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.2 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
5.9 mOhms
9.3 mOhms
9.8 mOhms
17 mOhms
26 mOhms
34 mOhms
35 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
55 mOhms
66 mOhms
75 mOhms
95 mOhms
3.7 Ohms
4.5 Ohms