Residential Energy Storage Systems (ESS)

Infineon Residential Storage Solutions (ESS) offers various products to create and manage resilient energy infrastructures. Infineon's distinctive expertise in energy generation, power conversion, transmission, and battery management makes it an ideal natural partner to advance Energy Storage Solutions, especially in terms of efficiency, innovation, performance, and optimal cost.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1.497En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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2.000En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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444En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
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378En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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12.627En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
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13.848En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
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6.556En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
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5.565En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 300A HSOF-8
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12.607En existencias
8.000Se espera el 02-03-2026
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MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1.702En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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1.070En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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3.493En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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222En existencias
720Se espera el 30-07-2026
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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332En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1.784En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 300A HSOF-8
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3.040En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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1.318En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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1.037En existencias
2.000Se espera el 09-04-2026
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MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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740En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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806En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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727En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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2.153En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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165En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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3.000En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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4.000Se espera el 27-08-2026
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Carrete: 2.000

MOSFETs Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel