5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
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3.955En existencias
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Carrete: 1.800
Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 80 V 408 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 223 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
Hoja de datos
66.517En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 133 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
4.862En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 6.000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 49 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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4.102En existencias
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Carrete: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 174 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
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4.990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 6.000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 43 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
1.478En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 248 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
4.073En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 39 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
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8.352En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 49 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
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4.732En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 253 A 850 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 64 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
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3.266En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 101 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 35 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
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5.096En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
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477En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 290 A 1.9 Ohms - 20 V, 20 V 3.8 V 94 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
4.082En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 150 V 148 A 6.32 Ohms - 10 V, 10 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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2.619En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 60 V 233 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
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2.715En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 100 V 139 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
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53.974En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 95 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 75 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
4.462En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 53 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
3.819En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
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2.891En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 170 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 77 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
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3.755En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 3.23 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 47 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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1.744En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 60 V 427 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 171 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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3.594En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 60 V 311 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
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2.836En existencias
3.600Se espera el 09-04-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 100 V 365 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 211 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
3.781En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 323 A 1.57 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
4.353En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 100 V 273 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 107 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape