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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 46 A, 65 mohm, TO-247
Hoja de datos
446En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 98 nC - 55 C + 150 C 337 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 30 A, 95 mohm, TO-247
Hoja de datos
214En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 58 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube