Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC030N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
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ISC030N10NM6ATMA1

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726-ISC030N10NM6ATMA

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

179 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

208 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC060N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.968
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ISC060N10NM6ATMA1

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726-ISC060N10NM6ATMA

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$980

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

97 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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ISZ080N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
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Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

8.04 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

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ISZ230N10NM6ATMA1
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726-ISZ230N10NM6ATMA

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Carrete: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

31 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

7.4 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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ISC027N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
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ISC027N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC027N10NM6ATMA

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

192 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

217 W

Enhancement

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ISC080N10NM6ATMA1
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1: $2.587
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ISC080N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC080N10NM6ATMA

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200En existencias

15.000Se espera el 13-08-2026

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$2.587

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$1.142

$993

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$746

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

8.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

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ISC230N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
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2.259En existencias
5.000Se espera el 12-03-2026

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ISC230N10NM6ATMA1

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726-ISC230N10NM6ATMA

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$738

$605

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$428

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

31 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

7.4 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISC022N10NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.528
26.269En pedido

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ISC022N10NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC022N10NM6ATMA

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230 A

2.24 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

254 W

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