Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET

IRFIB6N60APBF
Vishay Semiconductors
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IRFIB6N60APBF

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844-IRFIB6N60APBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET

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$2.383

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

5.5 A

750 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

49 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 1.4A N-CH MOSFET

IRFIBE20GPBF
Vishay Semiconductors
1: $3.703
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IRFIBE20GPBF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 1.4A N-CH MOSFET

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1.4 A

6.5 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 2.0 Amp

IRFRC20TRLPBF
Vishay Semiconductors
1: $2.521
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IRFRC20TRLPBF

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

2 A

4.4 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 1.7A N-CH

IRFIBC20GPBF
Vishay Semiconductors
1: $3.584
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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 6.6A N-CH MOSFET

IRFIB7N50APBF
Vishay Semiconductors
1: $4.835
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IRFIB7N50APBF

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$2.511

$2.285

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

6.6 A

520 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 1.9A N-CH MOSFET

IRFIBF30GPBF
Vishay Semiconductors
1: $4.510
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IRFIBF30GPBF

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844-IRFIBF30GPBF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 1.9A N-CH MOSFET

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$2.324

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

1.9 A

3.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 2A N-CH

IRFRC20PBF
Vishay Semiconductors
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2.226En existencias
3.000Se espera el 09-04-2026

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IRFRC20PBF

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844-IRFRC20PBF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 2A N-CH

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3.000Se espera el 09-04-2026

$1.841

$847

$804

$726

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

2 A

4.4 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 2.1A N-CH MOSFET

IRFIBE30GPBF
Vishay Semiconductors
1: $3.939
715En existencias

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IRFIBE30GPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFIBE30GPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 2.1A N-CH MOSFET

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715En existencias

$3.939

$2.019

$1.753

$1.536

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.1 A

3 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 1.2A N-CH MOSFET

IRFIBF20GPBF
Vishay Semiconductors
1: $3.712
510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFIBF20GPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFIBF20GPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 1.2A N-CH MOSFET

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$3.712

$1.881

$1.704

$1.408

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

1.2 A

8 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 2A N-CH MOSFET

IRFRC20TRPBF
Vishay Semiconductors
1: $1.841
1.804En existencias
2.000Se espera el 20-03-2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFRC20TRPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFRC20TRPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 2A N-CH MOSFET

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1.804En existencias

2.000Se espera el 20-03-2026

Cinta cortada

$1.841

$1.162

$873

Envase tipo carrete

$804

$454

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

2 A

4.4 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V

IRFIBC40GLCPBF
Vishay / Siliconix
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IRFIBC40GLCPBF

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844-IRFIBC40GLCPBF

Vishay / Siliconix

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$3.968

$2.925

$2.698

$2.294

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V

IRFRC20TRRPBF
Vishay Semiconductors
3.000: $610
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IRFRC20TRRPBF

N.º de artículo de Mouser
844-IRFRC20TRRPBF

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V

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Envase tipo carrete

$610

$606

Min.: 3.000
Mult.: 3.000

Carrete: 3.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

2 A

4.4 Ohms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

Reel

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