TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [RDS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.

Resultados: 20
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 650 V, 0.095 O@10V, TOLL, DTMOS?
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1.800En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TOLL, DTMOS?
Hoja de datos
1.800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TOLL, DTMOS?
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1.997En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET
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1.998En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TOLL, DTMOS?
Hoja de datos
2.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TOLL, DTMOS?
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2.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS?
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73En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 4 V 56 nC + 150 C 242 W Enhancement Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 1.69A N-CH
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205En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 2.2A N-CH
Hoja de datos
381En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 2.2A N-CH
Hoja de datos
284En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.4A N-CH
Hoja de datos
350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 84 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.4A N-CH
Hoja de datos
312En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 57 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.1A N-CH
Hoja de datos
306En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 52 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 150V 1.1A N-CH
Hoja de datos
209En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 49 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.08 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
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16En existencias
100Se espera el 27-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TO-247, DTMOS?
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30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TO-220SIS, DTMOS?
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50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TO-247, DTMOS?
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30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
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50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
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3En existencias
150Se espera el 15-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube