Infineon Automatic Opening Systems

Infineon Automatic Opening Systems incorporate smart sensors, motor controls, supplies and battery management to automate sliding, swing or garage doors, sun blinds, and gates. When automated, these doors manage opening actions, avoid unintentional opening, control speed and torque, detect objects along paths, as well as perform other functions.

Resultados: 159
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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83.842En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 33 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
Hoja de datos
70.187En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 40 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8
Hoja de datos
11.115En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 82 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 27 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
123.580En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 81 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
7.478En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 33 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
1.779En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 180 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 166 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
4.057En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
Hoja de datos
9.397En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 135 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
1.774En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 346 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
Hoja de datos
5.063En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 206 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
Hoja de datos
6.548En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 82 A 4 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 12 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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9.601En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16.2 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Hoja de datos
1.248En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 800

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 195 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 186 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
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4.333En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 11 A 11.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 56 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
Hoja de datos
6.796En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 88 nC - 55 C + 175 C 160 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3
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5.151En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 85 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 47 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS
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8.483En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 34 V 44 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.6 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
11.140En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 39 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 15 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
78.509En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 18 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.1 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
6.633En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 93 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
3.547En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
6.489En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 153 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
Hoja de datos
7.158En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
Hoja de datos
10.772En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 40 A 11.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
Hoja de datos
992En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 83 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 55 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Tube