Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

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$1.210

$963

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$803

MouseReel Disponible

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N-Channel

1 Channel

60 V

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

NVD5C688NLT4G
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Cinta cortada

$1.221

$1.028

$870

$825

Envase tipo carrete

$765

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

17 A

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- 16 V, 16 V

1.2 V

7 nC

- 55 C

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C446NLT1G
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N-Channel

2 Channel

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145 A

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

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NVMFD5C446NWFT1G
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$5.074

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$2.341

Envase tipo carrete

$1.982

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SO-8FL-Dual-8

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40 V

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C462NLT1G
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MouseReel Disponible

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2 Channel

40 V

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- 20 V, 20 V

1.2 V

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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863-NVMFD5C672NLWFT

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$3.438

$2.240

$1.557

$1.299

Envase tipo carrete

$1.109

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SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

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49 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

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Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 1.15MO

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$3.416

$2.352

$1.680

$1.501

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$1.243

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241 A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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NVMFS5C404NWFAFT1G

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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$2.666

$2.531

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MouseReel Disponible

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370 A

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NVMFS5C423NLWFAFT1G
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NVMFS5C423NLWFAFT1G

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$2.957

$1.982

$1.378

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Envase tipo carrete

$960

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SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C426NAFT1G
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NVMFS5C426NAFT1G

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863-NVMFS5C426NAFT1G

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$4.861

$3.237

$2.486

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Envase tipo carrete

$1.781

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

235 A

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2.5 V

65 nC

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128 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C426NLT1G
onsemi
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2.180En existencias

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NVMFS5C426NLT1G

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863-NVMFS5C426NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN

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2.180En existencias

Cinta cortada

$3.562

$2.699

$2.307

$2.229

Envase tipo carrete

$1.926

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

237 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

128 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

NVMFS5C442NLAFT1G
onsemi
1: $2.710
3.320En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C442NLAFT1G

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863-NVMFS5C442NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

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3.320En existencias

Cinta cortada

$2.710

$1.781

$1.243

$996

Envase tipo carrete

$862

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

130 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C450NAFT1G
onsemi
1: $2.016
7.500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C450NAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C450NAFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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7.500En existencias

Cinta cortada

$2.016

$1.288

$859

$679

$623

Envase tipo carrete

$562

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

102 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVMFS5C450NLAFT1G
onsemi
1: $1.949
6.178En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C450NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C450NLAF1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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6.178En existencias

Cinta cortada

$1.949

$1.579

$1.221

$976

Envase tipo carrete

$876

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Min.: 1
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Carrete: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

110 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVMFS5C456NLAFT1G
onsemi
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C456NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C456NLAF1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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13.982En existencias

Cinta cortada

$2.352

$1.579

$1.116

$892

Envase tipo carrete

$782

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Min.: 1
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Carrete: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

87 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C460NLWFAFT1G
onsemi
1: $2.834
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C460NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C460NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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6.281En existencias

Cinta cortada

$2.834

$1.837

$1.266

$1.011

Envase tipo carrete

$874

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

40 V

78 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

NVMFS5C468NT1G
onsemi
1: $2.106
3.597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C468NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C468NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

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3.597En existencias

Cinta cortada

$2.106

$1.344

$904

$778

$625

Envase tipo carrete

$578

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

35 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

NVMFS5C604NLWFAFT1G
onsemi
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1.158En existencias
3.000Se espera el 02-03-2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C604NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NWFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET

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1.158En existencias

3.000Se espera el 02-03-2026

Cinta cortada

$7.011

$4.827

$3.427

$3.349

$3.270

Envase tipo carrete

$2.856

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1.500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

287 A

930 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C628NLWFAFT1G
onsemi
1: $3.461
10.332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

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10.332En existencias

Cinta cortada

$3.461

$2.654

$1.859

$1.624

$1.344

Envase tipo carrete

$1.322

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C638NLT1G
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3.256En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C638NLT1G

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863-NVMFS5C638NLT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN

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133 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C670NLWFAFT1G
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SMD/SMT

SOIC-8

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1 Channel

60 V

71 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

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Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W