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NVMFS5C450NLAFT1G

Name: onsemi NVMFS5C450NLAFT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS5C450NLAF1
Price: 2432 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVMFS5C450NLAF1

Fabricante N.º:

NVMFS5C450NLAFT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

Hoja de datos:

NVMFS5C450NLAFT1G Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$1.566	$15.660
	$1.073	$107.300
	$858	$429.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$791	$1.186.500

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8FL-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	110 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	35 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	68 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	110 ns
Serie:	NVMFS5C450NL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	21 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Peso de la unidad:	750 mg

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.