Transistores de radiofrecuencia

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tipo de transistor
Tecnología
Frecuencia de trabajo
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Ganancia
Calificación
Empaquetado
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
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18En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

RF MOSFET Transistors SMD/SMT LBB-5 Si 1 GHz 120 W + 200 C 20 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
Hoja de datos
9.945En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-323-3 Bipolar Wideband Si 11 GHz 10 dBm - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
MACOM MRF175GU
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS
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5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si
Microchip Technology ARF468AG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
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26En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si Tube
onsemi Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) BIP NPN 70MA 10V F
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7.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 8.000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-623-3 Bipolar Si 7 GHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Microchip Technology ARF465BG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
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27En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole Si 60 MHz 150 W - 55 C + 150 C 13 dB Tube
MACOM MRF10031
MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,960-1215MHz,38V,9pk
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15En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors 332A-3 Bipolar Power Si 1.215 GHz - 65 C + 200 C
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
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90En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 20 GHz - 55 C + 125 C 11.9 dB Bulk
Microchip Technology MDS800
Microchip Technology Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Bipolar/LDMOS Transistor
Hoja de datos
3En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
RF Bipolar Transistors Si

Comchip Technology Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) VCEO=160V IC=600mA
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2.847En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

RF Bipolar Transistors Bipolar Power Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Central Semiconductor BFY90 PBFREE
Central Semiconductor Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) . .
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1.456En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors Through Hole Bipolar Si 500 MHz - 65 C + 200 C Bulk
MACOM MAPRST0912-50
MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 960-1215MHz 50W Gain: 9.1dB min
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2En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors Si Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART1K9FHU/SOT1214/TRAY
Hoja de datos
190En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs Screw Mount SOT539A-5 LDMOS 1 MHz to 500 MHz 1.9 kW + 225 C 24.6 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF24H4LS300P/SOT1214/TRAY
Hoja de datos
120En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1214B-5 GaN SiC 2.4 GHz to 2.5 GHz 300 W + 225 C 16 dB Tray
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
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110En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 120

RF MOSFET Transistors SMD/SMT B4E-5 Si 1 GHz 400 W + 200 C 19 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY
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55En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs SMD/SMT SOT-467B-2 LDMOS 170 W + 225 C 24 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY
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31En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs SMD/SMT SOT-467C-2 LDMOS 170 W + 225 C 24 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
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58En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

RF MOSFETs SMD/SMT TO-270-2F-1 LDMOS 170 W + 225 C 23.8 dB Reel, Cut Tape
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FES/SOT539/TRAY
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511En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFETs SMD/SMT SOT539BN-5 LDMOS 1 MHz to 400 MHz 2 kW + 225 C 28.4 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFEG/ACC-1230/REEL
Hoja de datos
87En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

RF MOSFETs SMD/SMT ACC-1230-6G-2-7 LDMOS + 225 C 29 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,<30MHz,50V,150W
Hoja de datos
231En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors Si
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
20En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 120

RF MOSFET Transistors SMD/SMT B4E-5 Si 1.6 GHz 180 W + 200 C 14 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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3.618En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-220-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 115 W - 40 C + 150 C 21.1 dB Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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370En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 330 W - 40 C + 150 C 20.4 dB Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
Hoja de datos
65En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

RF MOSFET Transistors Screw Mount NI-1230H-4 Si 1.8 MHz to 400 MHz 1.8 kW - 40 C + 150 C 25.1 dB Reel, Cut Tape