Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY
BLA9H0912LS-700GU
Ampleon
1:
$411.074
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94-BLA9H0912LS-700GU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-700G/SOT502/TRAY
42 En existencias
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N-Channel
LDMOS
50 V
60 mOhms
960 MHz to 1.215 GHz
20 dB
700 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT502E-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD
BLC2425M10LS500PZ
Ampleon
1:
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94-BLC2425M10LS500PZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD
110 En existencias
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Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
65 V
45.5 mOhms
2.4 GHz to 2.5 GHz
14.5 dB
500 W
+ 225 C
SMD/SMT
SOT1250-1-5
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF978P/SOT539/TRAY
BLF978PU
Ampleon
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$300.619
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94-BLF978PU
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Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF978P/SOT539/TRAY
111 En existencias
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Detalles
Dual N-Channel
LDMOS
50 V
54 mOhms
700 MHz
24.5 dB
1.2 kW
+ 225 C
Screw Mount
SOT539A-5
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
BLL9G1214L-600U
Ampleon
1:
$241.427
115 En existencias
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94-BLL9G1214L-600U
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Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
115 En existencias
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Min.: 1
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Detalles
N-Channel
LDMOS
65 V
26 mOhms
1.2 GHz to 1.4 GHz
19 dB
600 W
+ 225 C
Screw Mount
SOT502A-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP
BLM10D3438-35ABZ
Ampleon
1:
$25.771
1.000 En existencias
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94-BLM10D3438-35ABZ
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Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP
1.000 En existencias
1
$25.771
10
$20.003
25
$18.536
100
$17.427
250
Ver
500
$15.411
250
$17.125
500
$15.411
1.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
LDMOS
65 V
3.4 GHz to 3.8 GHz
35.4 dB
45.5 dBm
+ 200 C
SMD/SMT
QFN-20
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY
CLF3H0035-100U
Ampleon
1:
$323.243
97 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
94-CLF3H0035-100U
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035-100/SOT467C/TRAY
97 En existencias
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Mult.: 1
Detalles
N-Channel
GaN Si
50 V
240 mOhms
0 Hz to 3.5 GHz
15 dB
100 W
+ 300 C
Screw Mount
SOT467C-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY
CLF3H0035S-100U
Ampleon
1:
$323.243
60 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-CLF3H0035S-100U
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY
60 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
GaN Si
50 V
240 mOhms
0 Hz to 3.5 GHz
15 dB
100 W
+ 300 C
SMD/SMT
SOT467B-3
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
MWT-1F
CML Micro
10:
$81.603
70 En existencias
NRND
N.º de artículo del Fabricante
MWT-1F
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-1F
NRND
CML Micro
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band Linear Amplifier and Oscillator Applications
70 En existencias
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Mult.: 10
Detalles
GaAs
220 mA
12 GHz
10 dB
26 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
1:
$431.514
21 En existencias
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
21 En existencias
1
$431.514
10
$372.422
25
$357.683
50
$325.046
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
43 A
179 V
1.8 MHz to 400 MHz
24.4 dB
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
OM-1230-4
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1:
$54.947
175 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
175 En existencias
Embalaje alternativo
1
$54.947
10
$44.856
25
$42.336
100
$39.570
250
Ver
500
$37.453
250
$39.032
500
$37.453
1.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
8 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
18.5 dB
70 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-WB-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
1:
$40.891
457 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
457 En existencias
Embalaje alternativo
1
$40.891
10
$33.029
25
$31.058
100
$28.907
250
Ver
500
$27.238
250
$27.877
500
$27.238
1.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
7.5 A
40 V
136 MHz to 520 MHz
17.7 dB
33 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
TO-270-2
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
1:
$828.072
50 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
50 En existencias
Embalaje alternativo
1
$828.072
10
$726.779
25
$722.725
50
$686.874
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
2 A
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
25 dB
600 W
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
1:
$388.002
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
1
$388.002
10
$332.326
25
$318.797
50
$315.862
100
Ver
150
$296.554
100
$310.274
150
$296.554
450
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
25 dB
600 W
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1:
$527.755
121 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
121 En existencias
Embalaje alternativo
1
$527.755
10
$457.688
25
$440.205
50
$429.654
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
30 A
133 V
1.8 MHz to 600 MHz
24 dB
1.25 kW
+ 150 C
Screw Mount
NI-1230H-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
ARF1510
Microchip Technology
1:
$383.981
7 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
ARF1510
N.º de artículo de Mouser
494-ARF1510
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
7 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
8 A
1 kV
40 MHz
17 dB
750 W
- 55 C
+ 175 C
Screw Mount
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
+1 imagen
ARF460AG
Microchip Technology
1:
$63.459
121 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-ARF460AG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
121 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
14 A
500 V
65 MHz
13 dB
150 W
- 55 C
+ 150 C
Through Hole
TO-247-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
+1 imagen
ARF460BG
Microchip Technology
1:
$63.459
70 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-ARF460BG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
70 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
14 A
500 V
65 MHz
13 dB
150 W
- 55 C
+ 150 C
Through Hole
TO-247-3
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174
VRF150
Microchip Technology
1:
$76.698
227 En existencias
196 Se espera el 15-06-2026
N.º de artículo del Fabricante
VRF150
N.º de artículo de Mouser
494-VRF150
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174
227 En existencias
196 Se espera el 15-06-2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
16 A
180 V
150 MHz
18 dB
150 W
- 65 C
+ 150 C
Screw Mount
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
VRF151
Microchip Technology
1:
$78.546
50 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
VRF151
N.º de artículo de Mouser
494-VRF151
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
50 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
16 A
180 V
175 MHz
22 dB
150 W
- 65 C
+ 150 C
Screw Mount
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
VRF2933
Microchip Technology
1:
$182.101
35 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
VRF2933
N.º de artículo de Mouser
494-VRF2933
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
35 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
42 A
180 V
30 MHz
25 dB
300 W
- 65 C
+ 150 C
Screw Mount
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
PD55003TR-E
STMicroelectronics
1:
$9.890
389 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD55003TR-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
389 En existencias
Embalaje alternativo
1
$9.890
10
$7.134
100
$6.238
600
$6.026
1.200
$5.813
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
2.5 A
40 V
1 GHz
17 dB
3 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
PD55008TR-E
STMicroelectronics
1:
$17.091
689 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD55008TR-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
689 En existencias
Embalaje alternativo
1
$17.091
10
$12.634
100
$11.189
600
$10.707
1.200
$10.618
2.400
Ver
2.400
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
4 A
40 V
1 GHz
17 dB
8 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD55015-E
STMicroelectronics
1:
$25.525
170 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
170 En existencias
Embalaje alternativo
1
$25.525
10
$18.435
100
$17.147
400
$16.733
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
5 A
40 V
1 GHz
14 dB
15 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD57018-E
STMicroelectronics
1:
$34.104
186 En existencias
400 Se espera el 17-02-2026
N.º de artículo de Mouser
511-PD57018-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
186 En existencias
400 Se espera el 17-02-2026
Embalaje alternativo
1
$34.104
10
$29.086
100
$25.446
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
2.5 A
65 V
760 mOhms
1 GHz
16.5 dB
18 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD57030-E
STMicroelectronics
1:
$54.757
394 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD57030-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
394 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
N-Channel
Si
4 A
65 V
1 GHz
14 dB
30 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
Tube