Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor Tecnología Id - Corriente de drenaje continua Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Frecuencia de trabajo Ganancia Potencia de salida Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Estilo de montaje Paquete / Cubierta Empaquetado
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor No en existencias
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Mult.: 1
Carrete: 120

N-Channel Si 2.5 A 60 V 1 Ohms 3.5 GHz 12.5 dB 75 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics SD2931-12MR
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIS Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

Si Bulk