Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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30V & 40V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 30V and 40V Automotive P-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified MOSFETs with an ON resistance of 1Ω and a high junction temperature of 175°C. These P-channel MOSFETs are an ideal choice for automotive design engineers looking to simplify circuitry and enhance performance. The 30V to 40V P-channel MOSFETs are lead-free and EU RoHS 2.0 compliant. These P-channel MOSFETs are available in various packages, including DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA, TO-263AB, and TO-263-7L. The 30V to 40V P-channel MOSFETs are 100% Unclamped Inductive Switching (UIS) tested. Typical applications include reverse polarity protection, battery-powered equipment, brushed DC motors, electronic steering, oil/water pumps, and primary 12V systems.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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Reel, Cut Tape

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PJD45P03E-AU_L2_006A1
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PJD55P03E-AU_L2_006A1
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48 A

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Enhancement

AEC-Q101

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PJD90P03E-AU_L2_006A1
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AEC-Q101

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PJD95P04E-AU_L2_006A1
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Enhancement

AEC-Q101

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30 V

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2.5 V

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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PJQ4453EP-AU_R2_002A1
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PJQ4453EP-AU_R2_002A1

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1 Channel

40 V

55 A

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- 25 V, 25 V

2.5 V

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- 55 C

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Enhancement

AEC-Q101

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P-Channel

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30 V

86 A

6.4 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

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+ 175 C

75 W

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AEC-Q101

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PJQ5449E-AU_R2_006A1
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2.5 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Carrete: 5.000

SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

41 A

15.4 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

41 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

30 V

9 A

19.1 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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SMD/SMT

DFN-3333-8

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

9.8 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5433E-AU_R2_006A1
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SMD/SMT

DFN-5060-8

P-Channel

1 Channel

30 V

75 A

8.4 mOhms

- 25 V, 25 V

2.5 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

3.3 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

30V & 40V Automotive P-Channel MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

300 mA
500 mA
1.1 A
1.2 A
2.2 A
2.9 A
3.1 A
3.6 A
3.8 A
4 A
4.5 A
5 A
5.2 A
5.3 A
8.4 A
9 A
10 A
15 A
30 A
31 A

4.5 mOhms
6 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
8.4 mOhms
8.5 mOhms
8.8 mOhms
9.4 mOhms
9.8 mOhms
11.3 mOhms
11.6 mOhms
12.1 mOhms
12.5 mOhms
13.5 mOhms
14.3 mOhms
15 mOhms
15.4 mOhms
15.5 mOhms
17.2 mOhms
18.8 mOhms

900 pC
1.4 nC
1.6 nC
4.1 nC
4.8 nC
5.4 nC
6 nC
6.9 nC
7.3 nC
9.1 nC
9.8 nC
10 nC
11 nC
12 nC
14 nC
15 nC
19 nC
22 nC
27 nC
32 nC

350 mW
500 mW
1.25 W
1.7 W
2 W
2.1 W
2.5 W
3 W
3.3 W
21 W
28 W
30 W
33 W
35 W
41 W
43 W
63 W
65 W
68 W
75 W