Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 34

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.938
21.428En existencias
15.000Se espera el 05-03-2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC022N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC022N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

21.428En existencias

15.000Se espera el 05-03-2026

Cinta cortada

$1.938

$1.322

$922

$750

Envase tipo carrete

$582

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.579
4.631En existencias
5.000Se espera el 09-04-2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC097N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC097N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

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Hoja de datos

4.631En existencias

5.000Se espera el 09-04-2026

Cinta cortada

$1.579

$1.000

$669

$531

Envase tipo carrete

$393

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

46 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT008N06NM5LFATMA1
Infineon Technologies
1: $8.355
1.671En existencias
2.000Se espera el 26-02-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT008N06NM5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT008N06NM5LFAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

1.671En existencias

2.000Se espera el 26-02-2026

Cinta cortada

$8.355

$5.723

$4.346

$3.987

Envase tipo carrete

$3.539

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

454 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

185 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISC010N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.454
3.262En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC010N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC010N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

3.262En existencias

Cinta cortada

$5.454

$3.618

$2.576

$2.565

$2.475

Envase tipo carrete

$1.971

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

330 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

115 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V

IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: $3.685
400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP029N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP029N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V

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Hoja de datos

400En existencias

$3.685

$1.859

$1.669

$1.344

$1.187

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

84 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH61N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.098
2.990Se espera el 12-03-2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQFH61N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH61N06NM5ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

2.990Se espera el 12-03-2026

Cinta cortada

$8.098

$5.992

$4.850

$4.312

$4.178

Envase tipo carrete

$3.539

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

510 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.797
10.000Se espera el 23-04-2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE030N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE030N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

Obtenga más información

Hoja de datos

10.000Se espera el 23-04-2026

Cinta cortada

$3.797

$2.475

$1.725

$1.490

Ver

Envase tipo carrete

$1.210

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

137 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies
500: $1.826
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP020N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP020N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

$1.826

$1.725

Presupuesto

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: $3.013
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP040N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

$3.013

$1.490

$1.344

$1.038

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

69 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 A
40 A
41 A
46 A
69 A
84 A
95 A
100 A
120 A
137 A
151 A
170 A
233 A
275 A
311 A
330 A
339 A
394 A
399 A
427 A

750 uOhms
800 uOhms
860 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.2 mOhms
1.47 mOhms
1.55 mOhms
1.6 mOhms
1.72 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.23 mOhms
4 mOhms
4.9 mOhms
5 mOhms
8 mOhms

12.5 nC
15 nC
28 nC
38 nC
39 nC
47 nC
49 nC
53 nC
56 nC
68 nC
75 nC
76 nC
77 nC
90 nC
106 nC
110 nC
115 nC
120 nC
133 nC
137 nC

2.5 W
36 W
38 W
42 W
71 W
79 W
94 W
100 W
107 W
125 W
136 W
139 W
167 W
214 W
217 W
250 W
273 W
278 W
300 W
313 W