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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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67.587En existencias
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 133 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
4.862En existencias
Min.: 1
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Carrete: 6.000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 49 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
2.153En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 6.000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 21 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 49 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
4.073En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 39 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
Hoja de datos
4.057En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
3.011En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 60 V 233 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
Hoja de datos
53.702En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 95 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 75 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
4.462En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 53 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
Hoja de datos
3.240En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 170 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 77 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
Hoja de datos
5.000En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 3.23 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 47 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
1.744En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 60 V 427 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 171 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
3.601En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 60 V 311 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
4.717En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 445 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 120 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
5.175En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 447 A 860 uOhms - 10 V, 10 V 1.1 V 76 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
4.491En existencias
Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 53 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
3.518En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 6.000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
5.922En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 6.000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
6.780En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 275 A 1.55 mOhms - 20 V, 20 V 3.45 V 90 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
2.708En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 60 V 233 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
2.498En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 60 V 454 A 750 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 209 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
Hoja de datos
290En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 394 A 1.47 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 137 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
Hoja de datos
300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 339 A 1.72 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 115 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
Hoja de datos
13.003En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
2.869En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 399 A 1.1 Ohms - 20 V, 20 V 3.3 V 110 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
Hoja de datos
300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 460 A 1.12 Ohms - 20 V, 20 V 2.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape