Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

IRFB7545PBF
Infineon Technologies
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IRFB7545PBF

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942-IRFB7545PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB

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$1.575

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$562

$472

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TO-220-3

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1 Channel

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95 A

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Enhancement

StrongIRFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $4.080
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IQE030N06NM5CGSCATMA1

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726-IQE030N06NM5CGSC

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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$4.080

$2.669

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$1.442

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WHTFN-9

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60 V

21 A

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3.3 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IST011N06NM5AUMA1
Infineon Technologies
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726-IST011N06NM5AUMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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$5.215

$3.773

$2.699

$2.403

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$2.239

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N-Channel

1 Channel

60 V

399 A

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- 20 V, 20 V

3.3 V

110 nC

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313 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $3.712
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IQE030N06NM5CGATMA1

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726-IQE030N06NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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$3.712

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$1.421

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$1.278

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60 V

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3.3 V

39 nC

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package

ISC015N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.395
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Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC015N06NM5ATMA1

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726-ISC015N06NM5ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package

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$3.395

$2.198

$1.513

$1.268

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$999

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TDSON-8

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1 Channel

60 V

259 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH61N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.527
2.900En existencias
Nuevo producto

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IQFH61N06NM5ATMA1

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726-IQFH61N06NM5ATMA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

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$6.002

$4.857

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$3.824

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$3.824

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TSON-12

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1 Channel

60 V

510 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

190 nC

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+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISG0614N06NM5HATMA1
Infineon Technologies
1: $5.317
3.472En existencias

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ISG0614N06NM5HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0614N06NM5HAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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$5.317

$3.538

$2.515

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$2.117

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TFN-10

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2 Channel

60 V

233 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

68 nC

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+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

IAUC120N06S5L022ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.842
3.914En existencias

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IAUC120N06S5L022ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N06S5L022

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

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$2.842

$1.830

$1.258

$1.022

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$888

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170 A

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Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

IAUC120N06S5N032ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.433
3.575En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N06S5N032ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N06S5N032

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5

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$2.433

$1.544

$1.043

$845

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$673

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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1 Channel

60 V

120 A

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94 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPTC012N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.556
338En existencias
1.800Se espera el 09-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTC012N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC012N06NM5ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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1.800Se espera el 09-07-2026

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$7.556

$4.949

$3.640

$3.241

$2.873

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$2.873

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HDSOP-16

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1 Channel

60 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $3.844
4.456En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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$3.844

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$1.748

$1.472

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$1.278

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TTFN-9

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151 A

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100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: $4.161
5.330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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$4.161

$2.720

$2.035

$1.697

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Envase tipo carrete

$1.483

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WHSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

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+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE030N06NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: $4.458
1.603En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE030N06NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE030N06NM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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$4.458

$2.914

$2.178

$1.820

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Envase tipo carrete

$1.585

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

21 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: $3.006
49.265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC010N04LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

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49.265En existencias

Cinta cortada

$3.006

$1.851

$1.370

$1.104

$1.053

Envase tipo carrete

$974

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

133 nC

- 55 C

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139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.382
33.858En existencias
95.000Se espera el 02-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
BSC022N04LS6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC022N04LS6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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33.858En existencias

95.000Se espera el 02-07-2026

Cinta cortada

$2.382

$1.513

$1.020

$827

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Envase tipo carrete

$657

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH86N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.157
290En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH86N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH86N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

290En existencias

Cinta cortada

$7.157

$4.785

$3.844

$3.415

$3.027

Envase tipo carrete

$3.027

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: 3.000

SMD/SMT

TSON-12

N-Channel

1 Channel

60 V

394 A

1.47 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

137 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

IQFH99N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.932
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQFH99N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQFH99N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V

Hoja de datos

300En existencias

Cinta cortada

$6.932

$4.540

$3.343

$2.965

$2.638

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$2.638

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: 3.000

SMD/SMT

TSON-12

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1 Channel

60 V

339 A

1.72 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

115 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT009N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.321
69En existencias
4.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPT009N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT009N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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69En existencias

4.000En pedido

Cinta cortada

$7.321

$4.898

$3.937

$3.497

$3.098

Envase tipo carrete

$3.098

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SMD/SMT

HSOF-8

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1 Channel

60 V

427 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

171 nC

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+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IQE022N06LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $4.683
87En existencias
6.000Se espera el 27-05-2027

N.º de artículo del Fabricante
IQE022N06LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE022N06LM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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87En existencias

6.000Se espera el 27-05-2027

Cinta cortada

$4.683

$3.067

$2.239

$1.881

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Envase tipo carrete

$1.687

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: 6.000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

151 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUZ40N06S5L050ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.198
10.981En existencias
10.000Se espera el 27-05-2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ40N06S5L050ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ40N06S5L050A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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10.981En existencias

10.000Se espera el 27-05-2027

Cinta cortada

$2.198

$1.380

$910

$722

Envase tipo carrete

$563

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8-33

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

5 mOhms

- 16 V, 16 V

2.2 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPT008N06NM5LFATMA1
Infineon Technologies
1: $9.080
2.279En existencias
2.000Se espera el 02-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT008N06NM5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT008N06NM5LFAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

2.279En existencias

2.000Se espera el 02-07-2026

Cinta cortada

$9.080

$6.390

$5.174

$4.591

$4.069

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$4.069

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Min.: 1
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N-Channel

1 Channel

60 V

454 A

800 uOhms

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- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

ISC010N06NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.981
3.063En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC010N06NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC010N06NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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$3.916

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$2.566

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

60 V

330 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

115 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V

IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
1: $3.957
336En existencias
500Se espera el 02-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP029N06NXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP029N06NXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V

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500Se espera el 02-07-2026

$3.957

$2.577

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$1.575

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

84 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: $2.086
374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC097N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC097N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 46A TDSON-8

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$851

$669

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

46 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC41N06S5N102ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.902
2.812En existencias
5.000Se espera el 09-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC41N06S5N102ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC41N06S5N102A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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Cinta cortada

$1.902

$1.176

$774

$608

Envase tipo carrete

$418

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

41 A

10.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.4 V

12.5 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

21 A
40 A
41 A
46 A
69 A
84 A
95 A
100 A
120 A
137 A
151 A
170 A
233 A
259 A
275 A
276 A
311 A
330 A
339 A
394 A

750 uOhms
800 uOhms
860 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.05 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.55 mOhms
1.6 mOhms
1.72 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.23 mOhms
4 mOhms
4.9 mOhms

12.5 nC
15 nC
28 nC
38 nC
39 nC
47 nC
49 nC
53 nC
56 nC
68 nC
70 nC
75 nC
76 nC
77 nC
90 nC
106 nC
110 nC
115 nC
120 nC
133 nC

2.5 W
36 W
38 W
42 W
71 W
79 W
94 W
100 W
107 W
125 W
136 W
139 W
167 W
188 W
214 W
217 W
250 W
273 W
278 W
300 W