Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 51

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

ISP650P06NMXTSA1
Infineon Technologies
1: $2.005
2.833En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISP650P06NMXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISP650P06NMXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

Hoja de datos

2.833En existencias

Cinta cortada

$2.005

$1.210

$853

$683

Envase tipo carrete

$624

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

3.7 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
1: $661
8.999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLHS6376TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6376TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC

Hoja de datos

8.999En existencias

Cinta cortada

$661

$391

$321

$277

Envase tipo carrete

$203

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4.000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

2 Channel

30 V

3.6 A

63 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC

IRLML2030TRPBF
Infineon Technologies
1: $526
37.507En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLML2030TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML2030TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC

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Hoja de datos

37.507En existencias

Cinta cortada

$526

$394

$223

$150

Envase tipo carrete

$101

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

2.7 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1.3 V

1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl

IRLML6246TRPBF
Infineon Technologies
1: $470
65.356En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLML6246TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML6246TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl

Hoja de datos

65.356En existencias

Cinta cortada

$470

$287

$181

$138

$123

Envase tipo carrete

$103

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4.1 A

46 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

3.5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable

IRLML6344TRPBF
Infineon Technologies
1: $426
119.829En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLML6344TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML6344TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable

Hoja de datos

119.829En existencias

Cinta cortada

$426

$277

$217

$165

Envase tipo carrete

$121

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

5 A

29 mOhms

- 12 V, 12 V

800 mV

6.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

BSP135IXTSA1
Infineon Technologies
1: $851
2.280En existencias
3.000Se espera el 16-02-2026

N.º de artículo del Fabricante
BSP135IXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP135IXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

Hoja de datos

2.280En existencias

3.000Se espera el 16-02-2026

Cinta cortada

$851

$521

$339

$262

Envase tipo carrete

$227

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

600 V

120 mA

30 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

3.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Depletion

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP024N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $3.752
997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP024N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP024N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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997En existencias

$3.752

$1.994

$1.826

$1.747

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

182 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP040N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $3.382
1.121En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP040N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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1.121En existencias

$3.382

$1.691

$1.523

$1.131

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Through Hole

N-Channel

1 Channel

80 V

115 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP082N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $2.240
937En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP082N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP082N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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937En existencias

$2.240

$1.210

$1.091

$871

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

100 V

77 A

8.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP129N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $2.094
1.031En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP129N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP129N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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1.031En existencias

$2.094

$2.083

$1.006

$900

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Through Hole

N-Channel

1 Channel

100 V

52 A

12.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable

IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
1: $650
3.342En existencias
3.000Se espera el 05-03-2026

N.º de artículo del Fabricante
IRLTS6342TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLTS6342TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable

Hoja de datos

3.342En existencias

3.000Se espera el 05-03-2026

Cinta cortada

$650

$411

$256

$205

Envase tipo carrete

$133

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

8.3 A

17.5 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3

2N7002H6327XTSA2
Infineon Technologies
1: $168
18.771En existencias
408.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
2N7002H6327XTSA2

N.º de artículo de Mouser
726-2N7002H6327XTSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3

Hoja de datos

18.771En existencias

408.000En pedido

Cinta cortada

$168

$90,7

$66,1

$61,6

Envase tipo carrete

$43,7

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

300 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

BSS123IXTSA1
Infineon Technologies
1: $258
10.664En existencias
12.000Se espera el 05-03-2026

N.º de artículo del Fabricante
BSS123IXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSS123IXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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Hoja de datos

10.664En existencias

12.000Se espera el 05-03-2026

Cinta cortada

$258

$149

$70,6

$63,8

Envase tipo carrete

$35,8

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

190 mA

6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.8 V

630 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPB050N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $2.374
546En existencias
800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB050N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB050N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

546En existencias

800En pedido

Cinta cortada

$2.374

$1.568

$1.051

$981

Envase tipo carrete

$684

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

103 A

5.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP055N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $2.800
978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP055N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP055N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

978En existencias

$2.800

$1.378

$1.243

$992

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

ISC019N03L5SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.434
1.128En existencias
5.000Se espera el 30-04-2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC019N03L5SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N03L5SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

1.128En existencias

5.000Se espera el 30-04-2026

Cinta cortada

$1.434

$905

$598

$476

Ver

Envase tipo carrete

$339

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS ~ StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

ISP75DP06LMXTSA1
Infineon Technologies
1: $672
8.112En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISP75DP06LMXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISP75DP06LMXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

Obtenga más información

Hoja de datos

8.112En existencias

Cinta cortada

$672

$419

$278

$209

Envase tipo carrete

$143

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

1.1 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg

IRFML8244TRPBF
Infineon Technologies
1: $246
1.438En existencias
24.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFML8244TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFML8244TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg

Hoja de datos

1.438En existencias

24.000En pedido

Cinta cortada

$246

$157

$119

$113

Envase tipo carrete

$81,8

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

25 V

5.8 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

5.4 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC

IRLHS6242TRPBF
Infineon Technologies
1: $739
709En existencias
4.000Se espera el 19-03-2026

N.º de artículo del Fabricante
IRLHS6242TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6242TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC

Obtenga más información

Hoja de datos

709En existencias

4.000Se espera el 19-03-2026

Cinta cortada

$739

$417

$311

$261

Envase tipo carrete

$189

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4.000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

1 Channel

20 V

22 A

11.7 mOhms

- 12 V, 12 V

1.1 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

9.6 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 6.3A 21mOhm 2.5V cpbl

IRLML6244TRPBF
Infineon Technologies
1: $482
19.430En existencias
102.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRLML6244TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML6244TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 20V 6.3A 21mOhm 2.5V cpbl

Hoja de datos

19.430En existencias

102.000En pedido

Cinta cortada

$482

$286

$143

$132

Envase tipo carrete

$77,3

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

6.3 A

21 mOhms

- 12 V, 12 V

1.8 V

8.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable

IRLML6346TRPBF
Infineon Technologies
1: $493
1.985En existencias
215.900En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRLML6346TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML6346TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable

Hoja de datos

1.985En existencias

215.900En pedido

Cinta cortada

$493

$301

$190

$142

$127

Envase tipo carrete

$104

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

3.4 A

63 mOhms

- 12 V, 12 V

800 mV

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

ISZ065N03L5SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.086
2.335En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
ISZ065N03L5SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ065N03L5SATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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$1.086

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$338

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$227

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

5.2 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

OptiMOS ~ StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -20V -4.3A 54mOhm -2.5V cpbl

IRLML2244TRPBF
Infineon Technologies
1: $325
16.234En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IRLML2244TRPBF

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942-IRLML2244TRPBF

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -20V -4.3A 54mOhm -2.5V cpbl

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Cinta cortada

$325

$280

$175

$137

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MouseReel Disponible

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Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.3 A

54 mOhms

- 12 V, 12 V

400 mV

6.9 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT P-Ch -30V -3.6A 64mOhm

IRLML9301TRPBF
Infineon Technologies
1: $437
16.312En existencias
66.000En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRLML9301TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLML9301TRPBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT P-Ch -30V -3.6A 64mOhm

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16.312En existencias

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$437

$265

$174

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$104

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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

30 V

3.6 A

103 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

4.8 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP016N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $5.197
2.000Se espera el 02-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP016N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP016N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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$5.197

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$2.688

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Through Hole

N-Channel

1 Channel

80 V

196 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

120 mA
190 mA
300 mA
1.1 A
2.7 A
3.4 A
3.6 A
3.7 A
3.9 A
4.1 A
4.3 A
4.5 A
5 A
5.3 A
5.8 A
6.3 A
6.4 A
8.3 A
22 A
40 A

900 uOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms
1.23 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2.05 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.85 mOhms
4 mOhms
4.2 mOhms
4.6 mOhms
5 mOhms
5.05 mOhms
5.5 mOhms

600 pC
630 pC
1 nC
2.6 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.5 nC
3.7 nC
4 nC
4.8 nC
5.2 nC
5.4 nC
6.8 nC
6.9 nC
8.9 nC
11 nC
14 nC
15 nC
19 nC

500 mW
1.25 W
1.3 W
1.5 W
1.8 W
2 W
3.6 W
4.2 W
5 W
9.6 W
54 W
69 W
71 W
75 W
83 W
100 W
107 W
136 W
140 W
150 W