Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 51

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC

IRLR8726TRPBF
Infineon Technologies
1: $992
31.155En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLR8726TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLR8726TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC

Hoja de datos

31.155En existencias

Cinta cortada

$992

$617

$401

$308

Envase tipo carrete

$252

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

86 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP082N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $2.444
1.856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP082N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP082N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

1.856En existencias

$2.444

$1.207

$1.074

$860

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

100 V

77 A

8.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

BSP135IXTSA1
Infineon Technologies
1: $838
4.852En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSP135IXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSP135IXTSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

Hoja de datos

4.852En existencias

Cinta cortada

$838

$519

$335

$256

Envase tipo carrete

$229

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

600 V

120 mA

30 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

3.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Depletion

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP050N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $3.027
1.957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP050N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP050N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

1.957En existencias

$3.027

$1.513

$1.360

$1.104

$1.094

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC

IRFH8324TRPBF
Infineon Technologies
1: $1.299
3.335En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFH8324TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFH8324TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC

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Hoja de datos

3.335En existencias

Cinta cortada

$1.299

$793

$562

$442

Ver

Envase tipo carrete

$284

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4.000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

6.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC

IRFH8318TRPBF
Infineon Technologies
1: $1.380
4.240En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFH8318TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFH8318TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC

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Hoja de datos

4.240En existencias

Cinta cortada

$1.380

$715

$510

$425

Ver

Envase tipo carrete

$326

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4.000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

120 A

4.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

ISZ028N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.585
4.955En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISZ028N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ028N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

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Hoja de datos

4.955En existencias

Cinta cortada

$1.585

$1.002

$666

$521

$436

Envase tipo carrete

$396

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

128 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT015N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $4.939
1.164En existencias
1.800Se espera el 30-06-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPT015N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-15N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

1.164En existencias

1.800Se espera el 30-06-2026

Cinta cortada

$4.939

$3.262

$2.311

$2.004

$1.871

Envase tipo carrete

$1.871

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

315 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

161 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPP011N04NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $3.926
3.496En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP011N04NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP011N04NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

3.496En existencias

$3.926

$1.984

$1.708

$1.452

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

201 A

1.15 mOhms

- 20 V, 20 V

3.4 V

210 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPT012N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $5.961
1.856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT012N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

1.856En existencias

Cinta cortada

$5.961

$3.977

$2.853

$2.577

$2.403

Envase tipo carrete

$2.403

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

351 A

1.23 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD020N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.953
974En existencias
6.000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPD020N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD020N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

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Hoja de datos

974En existencias

6.000En pedido

Cinta cortada

$1.953

$1.247

$833

$658

Envase tipo carrete

$554

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

143 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.35 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPF009N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $4.540
1.111En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF009N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF009N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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Hoja de datos

1.111En existencias

Cinta cortada

$4.540

$2.750

$2.045

$1.667

Envase tipo carrete

$1.667

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

302 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

210 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 78A 3.2mOhm 36nC Qg

IRLB8743PBF
Infineon Technologies
1: $2.280
5.482En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRLB8743PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLB8743PBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 78A 3.2mOhm 36nC Qg

Hoja de datos

5.482En existencias

$2.280

$1.462

$985

$783

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

78 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

HEXFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPD028N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $2.495
1.930En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD028N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD028N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

1.930En existencias

Cinta cortada

$2.495

$1.605

$1.094

$876

$805

Envase tipo carrete

$733

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

139 A

2.85 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPP014N06NF2SAKMA2
Infineon Technologies
1: $5.123
1.087En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP014N06NF2SAKMA2

N.º de artículo de Mouser
726-P014N06NF2SAKMA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

1.087En existencias

$5.123

$2.648

$2.413

$1.994

$1.963

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

198 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

203 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP026N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $5.000
1.368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP026N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP026N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

1.368En existencias

$5.000

$2.587

$2.352

$1.943

$1.902

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

184 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg

IRLB3813PBF
Infineon Technologies
1: $2.536
1.888En existencias
4.000Se espera el 02-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
IRLB3813PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLB3813PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg

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Hoja de datos

1.888En existencias

4.000Se espera el 02-07-2026

$2.536

$1.278

$1.145

$914

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

30 V

260 A

1.95 mOhms

- 20 V, 20 V

1.9 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

HEXFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD040N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $2.986
1.190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD040N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD040N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

1.190En existencias

Cinta cortada

$2.986

$1.932

$1.329

$1.074

$1.008

Envase tipo carrete

$942

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

129 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPF010N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $5.593
213En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF010N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF010N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

213En existencias

Cinta cortada

$5.593

$3.722

$2.658

$2.209

Envase tipo carrete

$2.209

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

293 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

203 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPF050N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $3.180
415En existencias
800Se espera el 10-09-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPF050N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF050N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

415En existencias

800Se espera el 10-09-2026

Cinta cortada

$3.180

$2.065

$1.319

$1.084

Envase tipo carrete

$1.033

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

117 A

5.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

ISP16DP10LMAXTSA1
Infineon Technologies
1: $1.994
1.613En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ISP16DP10LMAXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISP16DP10LMAXTSA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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Hoja de datos

1.613En existencias

Cinta cortada

$1.994

$1.278

$854

$675

Envase tipo carrete

$638

$544

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

3.9 A

67 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3

2N7002H6327XTSA2
Infineon Technologies
1: $286
69.309En existencias
522.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
2N7002H6327XTSA2

N.º de artículo de Mouser
726-2N7002H6327XTSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3

Hoja de datos

69.309En existencias

522.000En pedido

Cinta cortada

$286

$149

$97,1

$74,6

Envase tipo carrete

$62,4

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

300 mA

1.6 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPF014N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $6.166
2.666En existencias
1.600Se espera el 11-06-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPF014N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF014N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Cinta cortada

$6.166

$4.121

$2.955

$2.515

Envase tipo carrete

$2.515

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

282 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP019N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $4.141
1.154En existencias

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IPP019N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP019N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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1.154En existencias

$4.141

$2.106

$1.851

$1.554

$1.472

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

191 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP055N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $2.822
1.987En existencias

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IPP055N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP055N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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1.987En existencias

$2.822

$1.391

$1.247

$999

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

120 mA
190 mA
300 mA
1.1 A
2.7 A
3.4 A
3.6 A
3.7 A
3.9 A
4.1 A
4.3 A
4.5 A
5 A
5.3 A
5.8 A
6.3 A
6.4 A
8.3 A
22 A
40 A

900 uOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms
1.23 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2.05 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.85 mOhms
4 mOhms
4.2 mOhms
4.6 mOhms
5 mOhms
5.05 mOhms
5.5 mOhms

600 pC
630 pC
1 nC
2.6 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.5 nC
3.7 nC
4 nC
4.8 nC
5.2 nC
5.4 nC
6.8 nC
6.9 nC
8.9 nC
11 nC
14 nC
15 nC
19 nC

500 mW
1.25 W
1.3 W
1.5 W
1.8 W
2 W
3.6 W
4.2 W
5 W
9.6 W
54 W
69 W
71 W
75 W
83 W
100 W
107 W
136 W
140 W
150 W