E Series High Voltage MOSFETs

Vishay Siliconix E Series High Voltage MOSFETs are super junction N-Channel power MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance versus the S Series MOSFETs. These E Series high-performance MOSFETs feature low on-resistance (RDS(ON)), low input capacitance (Ciss), reduced capacitive switching losses, and ultra-low gate charge (Qg). E series MOSFETs are available in 800VDS high-voltage variants with drain current (ID) that ranges from 2.8A to 17.4A. Also, new Vishay Siliconix 600V E Series MOSFETs have been added to the PowerPAK® 8x8 surface mount package. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, battery chargers, renewable energy, and SMPS.  

Resultados: 39
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET
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25.541En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.3 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 32 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 15A N-CH MOSFET
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9.673En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 155 C 179 W Enhancement Tube
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 12A N-CH MOSFET
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3.912En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET
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1.837En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 155 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 800V 8A N-CH MOSFET
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8.105En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 800V 2.9A N-CH MOSFET
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5.638En existencias
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.9 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 7 nC - 55 C + 155 C 62.5 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 7A N-CH MOSFET
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1.467En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 155 C 34 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 17.4A N-CH MOSFET
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9.560En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17.4 A 205 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 155 C 32 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 8A N-CH MOSFET
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1.558En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 13A N-CH MOSFET
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1.477En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 269 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 64 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 14.5A N-CH MOSFET
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2.438En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14.5 A 243 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 66 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 15A N-CH MOSFET
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3.916En existencias
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 122 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8A N-CH MOSFET
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1.643En existencias
MouseReel Disponible
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Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 19A N-CH MOSFET
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2.010En existencias
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 500 V 19 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET
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1.612En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 127 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 75 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET
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5.512En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 609 V 7 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 15A N-CH MOSFET
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1.578En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 155 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 13A N-CH MOSFET
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1.695En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 304 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 155 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET
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3.573En existencias
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
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3.287En existencias
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Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 45 V 208 A 1.2 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 167 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 12A N-CH MOSFET
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1.931En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 88 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 800V 8A N-CH MOSFET
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970En existencias
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Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
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628En existencias
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Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 21 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 10.5A N-CH MOSFET
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1.582En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 10.5 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 50 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
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2.139En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT PowerPak-9 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 56 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 54 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel