Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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1.654 En existencias
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Si
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3.837 En existencias
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4-02
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
856 En existencias
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Si
SMD/SMT
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Reel, Cut Tape, MouseReel
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IPB35N10S3L-26
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NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB35N10S3L-26
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
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D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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100 V
35 A
20.3 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
39 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
IPB70N10S3-12
Infineon Technologies
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NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S312
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
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Si
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D2PAK-3 (TO-263-3)
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100 V
70 A
9.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
66 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB037N06N3 G
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726-IPB037N06N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3
824 En existencias
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
90 A
3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
98 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB200N25N3 G
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB200N25N3GXT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
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Si
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D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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250 V
64 A
17.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
86 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
IPB019N08N3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB019N08N3G
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
1.791 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
80 V
180 A
1.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
206 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel