Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters

PANJIT Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters provide an advanced solution for the wireless chargers to work properly and efficiently. These wireless charging transmitters are designed to transfer the electromagnetic field to the battery receiver of its application. The power MOSFETs are assembled in a low-profile package that saves space while delivering similar on-resistance and thermal resistance. These devices feature low switching losses, high switching frequency operation, low operating temperature, and low gate drive losses. The power MOSFETs are ideally used in wireless charging pads, wireless charging sockets, wireless charging cases, and wireless charging stations.

Resultados: 130
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 54 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 19 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 72 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 15 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.4 A 48 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 11.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.4 A 48 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 11.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.1 A 98 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 11 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.6 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.6 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 10 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 10 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.4 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2.9 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 9.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.1 A 100 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.1 A 100 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.1 A 100 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4.1 A 56 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4.1 A 56 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.4 A 82 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 7 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 5.2 A 36 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 4.1 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.3 A 50 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 24 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.3 A 50 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 24 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.5 A 46 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 10 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 57 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 18 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6.5 A 22 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 8.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 5.8 A 27 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 5.8 A 27 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel