Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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PJA3402_R1_00001
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PJA3440_R1_00001
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PJA3400_R1_00001
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3412-AU_R1_000A1
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: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4.1 A

56 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

AEC-Q101

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SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

20 V

4.1 A

56 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

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P-Channel

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20 V

3.4 A

82 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

7 nC

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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.5 A

88 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

10 nC

- 50 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

300 mA
750 mA
1.1 A
1.2 A
1.5 A
1.6 A
2 A
2.2 A
2.9 A
3.1 A
3.2 A
3.3 A
3.4 A
3.6 A
4 A
4.1 A
4.2 A
4.3 A
4.4 A
4.5 A

2.4 mOhms
4.5 mOhms
9 mOhms
11.5 mOhms
12 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
21 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
29.81 mOhms
30 mOhms
32 mOhms
34 mOhms
35 mOhms
36 mOhms
37 mOhms
38 mOhms

900 pC
1.4 nC
1.5 nC
1.6 nC
1.7 nC
1.8 nC
4.1 nC
4.3 nC
4.6 nC
4.8 nC
5.2 nC
5.4 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.1 nC
6.7 nC
6.8 nC
6.9 nC
7 nC