Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET

SIR570DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: $4.376
6.865En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR570DP-T1-RE3

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78-SIR570DP-T1-RE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET

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$4.376

$2.883

$1.646

$1.585

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$1.585

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N-Channel

1 Channel

150 V

77.4 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

46.9 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 20.7A

SIR586DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: $2.290
19.850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR586DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
625-SIR586DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 20.7A

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19.850En existencias

Cinta cortada

$2.290

$1.462

$991

$788

$723

Envase tipo carrete

$652

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

64.9 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25.3 nC

- 55 C

+ 150 C

71.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 80V 16.9A

SISS588DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.229
12.976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SISS588DN-T1-GE3

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625-SISS588DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 80V 16.9A

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Cinta cortada

$2.229

$1.431

$962

$765

Envase tipo carrete

$664

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SMD/SMT

PowerPAK1212-8

N-Channel

1 Channel

80 V

58.1 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

18.7 nC

- 55 C

+ 150 C

56.8 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A

SIR584DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: $2.689
3.738En existencias

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SIR584DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
625-SIR584DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A

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$2.689

$1.738

$1.186

$948

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$748

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

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- 55 C

+ 150 C

83.3 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 17.2A

SIR588DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: $1.789
5.582En existencias

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SIR588DP-T1-RE3

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625-SIR588DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 17.2A

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$1.789

$1.145

$759

$597

Envase tipo carrete

$480

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

59.5 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

18.7 nC

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59.5 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHB100N65E-GE3
Vishay
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597En existencias

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SIHB100N65E-GE3

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78-SIHB100N65E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

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$10.654

$7.454

$5.542

$5.388

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D2PAK-3

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1 Channel

650 V

30 A

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+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHB125N65E-GE3
Vishay
1: $8.527
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SIHB125N65E-GE3

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78-SIHB125N65E-GE3

Vishay

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736En existencias

$8.527

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$4.499

$4.213

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D2PAK-3

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1 Channel

650 V

27 A

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Tube

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SIHH100N65E-T1-GE3
Vishay
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SIHH100N65E-T1-GE3

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$10.399

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$5.889

$5.583

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PowerPAK-8x8

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1 Channel

650 V

28 A

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184 W

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SIHH125N65E-T1-GE3
Vishay
1: $8.579
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SIHH125N65E-T1-GE3

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78-SIHH125N65ET1-GE3

Vishay

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$8.579

$6.155

$4.530

$4.478

$4.315

Envase tipo carrete

$4.172

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8

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1 Channel

650 V

25 A

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174 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHK100N65E-T1-GE3
Vishay
1: $10.133
1.705En existencias

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SIHK100N65E-T1-GE3

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78-SIHK100N65ET1-GE3

Vishay

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$10.133

$7.014

$5.266

$5.082

Envase tipo carrete

$4.918

MouseReel Disponible

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: 2.000

SMD/SMT

PowerPAK-10x12

N-Channel

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650 V

28 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

184 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHK125N65E-T1-GE3
Vishay
1: $8.548
1.800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHK125N65E-T1-GE3

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78-SIHK125N65ET1-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

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Cinta cortada

$8.548

$5.900

$4.622

$4.376

Envase tipo carrete

$4.376

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2.000

SMD/SMT

PowerPAK-10x12

N-Channel

1 Channel

650 V

25 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

- 55 C

+ 150 C

174 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

SIHP100N65E-GE3
Vishay
1: $10.644
900En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP100N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP100N65E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V

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900En existencias

$10.644

$7.444

$5.532

$5.378

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

100 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

41 nC

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+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHP125N65E-GE3
Vishay
1: $8.507
840En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHP125N65E-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHP125N65E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

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840En existencias

$8.507

$6.114

$4.489

$4.202

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 5.8 m 10V

SIR514DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: $2.853
5.442En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR514DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR514DP-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 5.8 m 10V

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5.442En existencias

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$2.853

$1.820

$1.247

$1.043

$959

Envase tipo carrete

$907

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

84.8 A

5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

83.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 8 m 10V

SIR516DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: $2.750
5.590En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR516DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR516DP-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 8 m 10V

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5.590En existencias

Cinta cortada

$2.750

$1.769

$1.217

$970

$899

Envase tipo carrete

$851

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

63.7 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23.6 nC

- 55 C

+ 150 C

71.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 10.8 m 10V

SIR572DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: $3.078
5.821En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR572DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR572DP-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 10.8 m 10V

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Hoja de datos

5.821En existencias

Cinta cortada

$3.078

$1.994

$1.370

$1.114

$1.053

Envase tipo carrete

$996

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

59.7 A

10.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

35.9 nC

- 55 C

+ 150 C

92.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 13.8 m 10V

SIR574DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: $2.485
5.870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR574DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR574DP-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 13.8 m 10V

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5.870En existencias

Cinta cortada

$2.485

$1.595

$1.094

$871

$801

Envase tipo carrete

$747

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

48.1 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

31.5 nC

- 55 C

+ 150 C

78 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 16 m 10V

SIR576DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: $2.260
5.734En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR576DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR576DP-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 16 m 10V

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Hoja de datos

5.734En existencias

Cinta cortada

$2.260

$1.452

$980

$779

$689

Envase tipo carrete

$653

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

42.2 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25.2 nC

- 55 C

+ 150 C

71.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 8.8 M 10V

SIR578DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: $3.640
5.785En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR578DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR578DP-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 8.8 M 10V

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Hoja de datos

5.785En existencias

Cinta cortada

$3.640

$2.372

$1.667

$1.360

$1.339

Envase tipo carrete

$1.268

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

150 V

70.2 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32.5 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 3.4 m 10V

SIR582DP-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: $2.791
5.934En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR582DP-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIR582DP-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 3.4 m 10V

Obtenga más información

Hoja de datos

5.934En existencias

Cinta cortada

$2.791

$1.800

$1.237

$990

$920

Envase tipo carrete

$872

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

93 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

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- 55 C

+ 150 C

92.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 28.9A

SIR582DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
1: $2.802
7.838En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR582DP-T1-RE3

N.º de artículo de Mouser
625-SIR582DP-T1-RE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 80V 28.9A

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

80 V

84.1 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

44.5 nC

- 55 C

+ 150 C

92.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 51.1A

SISS54DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: $2.689
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6.000Se espera el 18-06-2026

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SISS54DN-T1-GE3

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78-SISS54DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 51.1A

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8S

N-Channel

1 Channel

30 V

185.6 A

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- 12 V, 16 V

2.2 V

47.5 nC

- 55 C

+ 150 C

65.7 W

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

SIHG125N65E-GE3
Vishay
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SIHG125N65E-GE3

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78-SIHG125N65E-GE3

Vishay

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.12 10V

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Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

650 V

27 A

120 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 126A N-CH MOSFET

SIR510DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
1: $3.497
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SIR510DP-T1-RE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 126A N-CH MOSFET

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PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

126 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQA444CEJW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQA444CEJW-T1_GE3

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625-SQA444CEJW-T1GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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SMD/SMT

PowerPAK SC-70W-6

N-Channel

1 Channel

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9 A

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2 V

6 nC

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