600V N-Channel Super Junction MOSFETs

PANJIT 600V N-Channel Super Junction MOSFETs feature a low RDS(ON) and high-speed switching in an ITO-220AB-F or TO-247AD-3LD package. The 600V MOSFETs support an RDS(ON) of 74mΩ, 190mΩ, 280mΩ, 360mΩ, 580mΩ, or 900mΩ. In addition, the MOSFETs provide a 4.4A, 8A, 11A, 13.8A, 8A, 20A, or 53A current. The 100% avalanche and Rg-tested PANJIT 600V N-Ch Super Junction MOSFETs offer ease of use.

Resultados: 26
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
Hoja de datos
1.470En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 280mohm Super Junction Easy versio
Hoja de datos
1.939En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 27 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
1.988En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18.7 nC - 55 C + 150 C 87.5 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 190mohm Super Junction Easy versio
Hoja de datos
1.937En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
2.488En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18.7 nC - 55 C + 150 C 87.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
824En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
1.925En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
794En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 235 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 580mohm Super Junction Easy versio
Hoja de datos
1.993En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 580 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 280mohms / 13.8A/ Easy to driver SJ MOSFET
Hoja de datos
2.985En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si Through Hole TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 27 nC - 55 C + 150 C 122.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
Hoja de datos
1.990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole ITO-220AB-F-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
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2.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole ITO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 5.8 V 60 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mohms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
Hoja de datos
830En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 308 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
Hoja de datos
1.997En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 308 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
Hoja de datos
2.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-L-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 5.8 V 60 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
Hoja de datos
1.470En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AD-3LD N-Channel 1 Channel 600 V 53 A 74 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 84 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
5.990En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Si TO-252AA-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
1.989En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 360mohm Super Junction Easy version Gen.1
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000

Si Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 360mohm Super Junction Easy versio
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18.7 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000

Si Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 900mohm Super Junction Easy version Gen.1
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V/ 900mohm Super Junction Easy versio
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 4.4 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 11.5 nC - 55 C + 150 C 23.6 W Enhancement Tube
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
Plazo de entrega 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Tube