U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS
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369.132En existencias
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Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 3.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V
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282.583En existencias
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Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 80 mA, 720 mA 240 mOhms, 300 mOhms - 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V 350 mV, 1 V 2 nC, 1.76 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII / U-MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=1.6A VDSS=30V
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143.935En existencias
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Si SMD/SMT UF-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 1.6 A, 1.4 A 122 mOhms, 226 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 2 V 5.1 nC, 2.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
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304.777En existencias
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Si SMD/SMT VESM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
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283.861En existencias
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Si SMD/SMT SOT-416-3 P-Channel 1 Channel 20 V 330 mA 1.31 Ohms - 8 V, 8 V 300 mV 1.2 nC + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-1.4A, RDS(ON)=0.403Ohm @ 4V
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57.311En existencias
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Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 30 V 1.4 A 226 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package
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15.631En existencias
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Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 123 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=3.0A, RDS(ON)=0.055Ohm @ 4V, in UF6 package
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2.328En existencias
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Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 3 A 55 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD 1.5V
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16.967En existencias
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Si SMD/SMT ES6-6 N-Channel 2 Channel 20 V 500 mA 630 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q100 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL
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3.360En existencias
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 530 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 128 nC + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
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79.690En existencias
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Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52
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159.978En existencias
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Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 630 mOhms - 5 V, 5 V 350 mV 1.23 nC + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
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118.883En existencias
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Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 750 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 340 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz
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14.880En existencias
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Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 28 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 13.6 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package
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25.886En existencias
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Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2 A 93 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
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58.072En existencias
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Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=0.25A VDSS=20V
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68.004En existencias
30.000Se espera el 24-04-2026
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Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 1.65 Ohms - 10 V, 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
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19.967En existencias
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Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
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504En existencias
28.366Se espera el 13-02-2026
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Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 630 mOhms - 10 V, 10 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
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18.740En existencias
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Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 5.6 Ohms - 10 V, 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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23.774En existencias
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Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 2.2 Ohms - 10 V, 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET
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4.535En existencias
20.000En pedido
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Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 3.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS
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13.049En existencias
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Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
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30.117En existencias
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Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 3.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
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12.103En existencias
18.000Se espera el 20-02-2026
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Si SMD/SMT SSM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel