Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

IXTT6N120
IXYS
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IXTT6N120

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747-IXTT6N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

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274En existencias

$14.877

$9.090

$8.896

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2.6 Ohms

- 20 V, 20 V

5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT

IXTA3N120HV
IXYS
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395En existencias

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IXTA3N120HV

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747-IXTA3N120HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT

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395En existencias

$9.356

$5.153

$4.857

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTJ4N150
IXYS
1: $13.854
260En existencias

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IXTJ4N150

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747-IXTJ4N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

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260En existencias

$13.854

$9.857

$8.313

$8.016

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

6 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

44.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.500 Rds

IXTH3N120
IXYS
1: $10.358
2En existencias

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IXTH3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.500 Rds

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2En existencias

$10.358

$7.127

$5.419

$5.296

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4.5 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTH4N150
IXYS
1: $11.533
225En existencias

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IXTH4N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH4N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

225En existencias

$11.533

$7.945

$6.033

$5.910

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

6 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

44.5 nC

- 55 C

+ 150 C

280 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT

IXTT12N150HV
IXYS
1: $56.788
280En existencias

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IXTT12N150HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT12N150HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT

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280En existencias

$56.788

$48.107

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

12 A

2.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500 V High Voltage Power MOSFET

IXTX20N150
IXYS
1: $29.089
47En existencias

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IXTX20N150

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747-IXTX20N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500 V High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

47En existencias

$29.089

$22.505

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

20 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

215 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1

IXFH16N120P
IXYS
1: $21.523
158En existencias

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IXFH16N120P

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747-IXFH16N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1

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158En existencias

$21.523

$14.304

$14.294

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTA05N100HV
IXYS
1: $5.123
1.748En existencias

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IXTA05N100HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA05N100HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

1.748En existencias

$5.123

$4.100

$3.313

$2.945

$2.526

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

750 mA

17 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds

IXTA3N120
IXYS
1: $8.671
928En existencias
1.100Se espera el 17-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds

Hoja de datos

928En existencias

1.100Se espera el 17-08-2026

$8.671

$5.399

$4.969

$4.478

$4.315

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 4A N-CH HIVOLT

IXTA4N150HV
IXYS
1: $14.192
193En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA4N150HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA4N150HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 4A N-CH HIVOLT

Hoja de datos

193En existencias

$14.192

$9.550

$8.855

$7.024

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

6 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

375 nC

- 55 C

+ 150 C

280 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id3 BVdass1200

IXTP3N120
IXYS
1: $9.427
846En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id3 BVdass1200

Hoja de datos

846En existencias

$9.427

$5.286

$5.010

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT

IXTA3N150HV
IXYS
1: $13.313
74En existencias
300Se espera el 17-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTA3N150HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA3N150HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT

Hoja de datos

74En existencias

300Se espera el 17-08-2026

$13.313

$8.538

$7.536

$6.718

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

3 A

7.3 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

38.6 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTH3N150
IXYS
1: $15.010
55En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH3N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH3N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

55En existencias

$15.010

$9.182

$8.875

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

3 A

7.3 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

38.6 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

IXTH6N120
IXYS
1: $13.701
143En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH6N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH6N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

Hoja de datos

143En existencias

$13.701

$9.090

$8.896

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

6 A

2.4 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

IXTP05N100
IXYS
1: $4.018
550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP05N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP05N100

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

Hoja de datos

550En existencias

$4.018

$2.045

$1.840

$1.513

$1.350

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

750 mA

17 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.5 Amps 1000V

IXTP05N100M
IXYS
1: $5.174
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP05N100M

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP05N100M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.5 Amps 1000V

Hoja de datos

300En existencias

$5.174

$2.699

$2.444

$2.024

$1.902

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

700 mA

15 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V High Voltage Power MOSFET

IXTT12N150
IXYS
1: $18.118
5En existencias
300Se espera el 19-04-2027

N.º de artículo del Fabricante
IXTT12N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT12N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

5En existencias

300Se espera el 19-04-2027

$18.118

$12.944

$11.309

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.1 Amps 1000V 80 Rds

IXTY01N100
IXYS
1: $3.456
320En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTY01N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXTY01N100

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.1 Amps 1000V 80 Rds

Hoja de datos

320En existencias

$3.456

$2.076

$1.431

$1.360

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

100 mA

80 Ohms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) >1200V High Voltage Power MOSFET

IXTH12N150
IXYS
1: $18.404
300Se espera el 08-05-2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTH12N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH12N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) >1200V High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

300Se espera el 08-05-2026

$18.404

$14.744

$12.740

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

12 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

106 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

IXTA05N100
IXYS
300: $2.587
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTA05N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA05N100

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.75 Amps 1000V 15 Rds

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

$2.587

$2.515

Min.: 300
Mult.: 50

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1 kV

750 mA

17 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A

IXTH6N150
IXYS
1: $13.722
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTH6N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH6N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

$13.722

$8.333

$7.137

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

500 V

6 A

3.5 Ohms

- 20 V, 20 V

5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

540 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

IXTJ6N150
IXYS
300: $10.010
Plazo de entrega no en existencias 65 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTJ6N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTJ6N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 65 Semanas

$10.010

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

3 A

3.85 Ohms

- 30 V, 30 V

2.5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1200V High Voltage Power MOSFET

IXTK20N150
IXYS
300: $39.754
Plazo de entrega no en existencias 49 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXTK20N150

N.º de artículo de Mouser
747-IXTK20N150

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1200V High Voltage Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 49 Semanas

$39.754

Min.: 300
Mult.: 25

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1.5 kV

20 A

1 Ohms

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2 Amps 800V 6.2 Rds

IXTP2N80
IXYS
50: $2.628
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTP2N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXTP2N80

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2 Amps 800V 6.2 Rds

Hoja de datos

No en existencias

$2.628

$1.932

$1.718

$1.513

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2 A

6.2 Ohms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

100 mA
700 mA
750 mA
1.5 A
1.83 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
5 A
6 A
12 A
13 A
14 A
16 A
20 A
24 A
33 A
40 A
50 A

20 mOhms
25 mOhms
45 mOhms
85 mOhms
170 mOhms
350 mOhms
400 mOhms
700 mOhms
800 mOhms
950 mOhms
1 Ohms
2 Ohms
2.2 Ohms
2.4 Ohms
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