DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101 21.879En existencias
18.000Se espera el 12-02-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.570
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF 17.738En existencias
20.000Se espera el 29-01-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p 25.139En existencias
21.000Se espera el 25-06-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.840
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 31V to 99V 60V 120mOhm 606pF 367En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT X1-DFN1616-6 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 12.3 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson 188En existencias
12.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 770
: 3.000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel 2 Channel 60 V 630 mA 1.1 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 740 pC - 55 C + 150 C 1.09 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
176.950Se espera el 16-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 9.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 240 V 480 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 1.26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A
17.492En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 3.3 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 240V 20Vgss
9.989Se espera el 19-02-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
149.742En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs
56.490En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.900
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 300 mA 2 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 600 pC - 55 C + 150 C 520 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23
44.460En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.770
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 470 mA 1.8 Ohms - 5 V, 5 V 1.3 V 740 pC - 55 C + 150 C 610 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
10.000Se espera el 22-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 420
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 470 mA 1.8 Ohms - 5 V, 5 V 1.3 V 740 pC - 55 C + 150 C 610 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
38.804En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.190
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 470 mA 1.8 Ohms - 5 V, 5 V 1.3 V 740 pC - 55 C + 150 C 610 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss TSOT26
14.988Se espera el 19-02-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel 2 Channel 60 V 630 mA 1.1 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 740 pC - 55 C + 150 C 1.09 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A
2.490Se espera el 19-03-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 3.7 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 1.56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 8ohm 5V VGS 170mA
22.590Se espera el 21-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 200 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 870 pC - 55 C + 150 C 400 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
4.998Se espera el 19-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 3.6 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET
18.484Se espera el 13-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.620
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Enh FET 20Vds 12Vgs 2248pF 3.000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT V-DFN2050-4 N-Channel 2 Channel 20 V 12.2 A 13 mOhms - 12 V, 12 V 300 mV 56 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel 1 Channel Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel Reel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 300 mA 2 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 600 pC - 55 C + 150 C 520 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel