DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

Resultados: 47
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs 425En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel 1 Channel 100 V 2.24 A 250 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 1.67 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss 6.190En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 130 V 1 A 750 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 5.6 nC - 55 C + 150 C 1.26 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A 3.801En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17.6 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 41 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF 4.974En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 17.2 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET 3.624En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 300 V 550 mA 2.3 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 7.6 nC - 55 C + 150 C 1.98 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF 3.548En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 28 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 9.6 nC - 55 C + 150 C 3.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET 641En existencias
10.000Se espera el 19-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 1.2 nC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs 1.493En existencias
219.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET 579En existencias
20.000Se espera el 22-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs 3.664En existencias
78.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family 14.607En existencias
20.000Se espera el 05-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101 1.723En existencias
21.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF 9.884En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs 5.131En existencias
6.000Se espera el 20-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 300 mA 2 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 600 pC - 55 C + 150 C 520 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF 23.519En existencias
138.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12.3 nC - 55 C + 150 C 1.15 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
5.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 3.6 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
38.072En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET 30.000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
Carrete: 10.000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel 1 Channel Reel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss 30.000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
Carrete: 10.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel Reel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET 80.000Existencias en fábrica disponibles
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 300 mA 2 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 600 pC - 55 C + 150 C 520 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 3.7 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 1.56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Enh FET 20Vds 12Vgs 2248pF Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT V-DFN2050-4 N-Channel 2 Channel 20 V 12.2 A 13 mOhms - 12 V, 12 V 300 mV 56 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel