Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
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DMN53D0L-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
500 mA
1.6 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
1.2 nC
- 55 C
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360 mW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A
DMN2300UFB4-7B
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Si
SMD/SMT
X2-DFN1006-3
N-Channel
1 Channel
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1.3 A
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- 8 V, 8 V
450 mV
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500 mW
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 4.8A/- 6.3A
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DMN4034SSD-13
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
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4.8 A
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- 20 V, 20 V
1 V
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Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 T&R 4K
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DMN6068SE-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 T&R 4K
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Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
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5.6 A
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10.3 nC
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Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET
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DMN1019UVT-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET
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Si
SMD/SMT
TSOT-26-6
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
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DMN2230UQ-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
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Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
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DMN53D0LW-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
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Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
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Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
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DMN6075S-7
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621-DMN6075S-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF
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105.000 Se espera el 21-08-2026
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$166
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
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Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
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DMN61D8LQ-7
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621-DMN61D8LQ-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
22.336 En existencias
15.000 Se espera el 05-02-2027
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$915
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
470 mA
1.8 Ohms
- 5 V, 5 V
1.3 V
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- 55 C
+ 150 C
610 mW
Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V SO-8 T&R 2.5K
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DMN2028USS-13
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522-DMN2028USS-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V SO-8 T&R 2.5K
1.281 En existencias
2.500 Se espera el 26-02-2027
1
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2.500
$453
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
20 V
9.8 A
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- 12 V, 12 V
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11.6 nC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
DMN2300UFL4-7
Diodes Incorporated
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522-DMN2300UFL4-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS
1.943 En existencias
3.000 Se espera el 26-08-2026
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3.000
$216
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Si
SMD/SMT
X2-DFN1310-6
N-Channel
2 Channel
20 V
2.11 A
195 mOhms
- 8 V, 8 V
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1.6 nC
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Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
DMN3730UFB-7
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522-DMN3730UFB-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
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$276
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Si
SMD/SMT
X1-DFN1006-3
N-Channel
1 Channel
30 V
730 mA
460 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
1.6 nC
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690 mW
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A
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DMN4027SSD-13
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522-DMN4027SSD-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.4A/- 7.1A
153 En existencias
7.500 En pedido
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153 Se puede enviar inmediatamente
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2.500 Se espera el 06-08-2027
5.000 Se espera el 18-08-2027
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
1
$1.946
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$570
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$504
2.500
$431
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
40 V
5.4 A
27 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
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Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A
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DMN4034SSS-13
Diodes Incorporated
1:
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4.233 En existencias
N.º de artículo de Mouser
522-DMN4034SSS-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A
4.233 En existencias
1
$1.504
10
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Ver
1.000
$448
5.000
$346
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$331
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2.500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
40 V
5.4 A
34 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
4.9 nC
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Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 8ohm 5V VGS 170mA
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DMN65D8LDW-7
Diodes Incorporated
1:
$379
22 En existencias
24.000 Se espera el 09-06-2027
N.º de artículo de Mouser
522-DMN65D8LDW-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 8ohm 5V VGS 170mA
22 En existencias
24.000 Se espera el 09-06-2027
1
$379
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$145
500
$121
3.000
$65,2
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
60 V
200 mA
6 Ohms
- 20 V, 20 V
1 V
870 pC
- 55 C
+ 150 C
400 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss
DMN1045UFR4-7
Diodes Incorporated
1:
$568
7.893 En existencias
6.000 Se espera el 16-07-2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMN1045UFR4-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss
7.893 En existencias
6.000 Se espera el 16-07-2027
1
$568
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$209
1.000
$155
3.000
$124
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
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Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
X2-DFN1010-3
N-Channel
1 Channel
12 V
3.2 A
25 mOhms
- 8 V, 8 V
400 mV
4.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1.26 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V
DMN10H100SK3-13
Diodes Incorporated
1:
$1.546
573 En existencias
2.500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMN10H100SK3-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V
573 En existencias
2.500 En pedido
1
$1.546
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$622
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$530
1.000
$453
2.500
$399
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2.500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
18 A
100 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
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+ 150 C
37 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs
+1 imagen
DMN10H220LVT-7
Diodes Incorporated
1:
$1.136
405 En existencias
N.º de artículo de Mouser
621-DMN10H220LVT-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs
405 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.136
10
$706
100
$457
500
$292
1.000
$263
3.000
$225
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOT-26-6
N-Channel
1 Channel
100 V
2.24 A
250 mOhms
- 16 V, 16 V
1 V
8.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.67 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
+2 imágenes
DMN13H750S-7
Diodes Incorporated
1:
$1.094
1.217 En existencias
9.000 Se espera el 19-05-2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMN13H750S-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
1.217 En existencias
9.000 Se espera el 19-05-2027
Embalaje alternativo
1
$1.094
10
$660
100
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500
$410
3.000
$410
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.080
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
130 V
1 A
750 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
5.6 nC
- 55 C
+ 150 C
1.26 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A
+2 imágenes
DMN15H310SE-13
Diodes Incorporated
1:
$2.166
253 En existencias
2.500 Se espera el 30-07-2027
N.º de artículo de Mouser
621-DMN15H310SE-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A
253 En existencias
2.500 Se espera el 30-07-2027
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Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
150 V
2 A
178 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
8.7 nC
- 55 C
+ 150 C
1.9 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A
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621-DMN3008SFG-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A
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PowerDI3333-8
N-Channel
1 Channel
30 V
17.6 A
4.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF
DMN3016LDN-7
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V-DFN3030-8
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24 mOhms, 24 mOhms
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1.4 V
25.1 nC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF
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V-DFN3020-8
N-Channel
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30 V
5.5 A
45 mOhms, 45 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
9.9 nC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF
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SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
30 V
4 A
45 mOhms
- 12 V, 12 V
600 mV
17.2 nC
- 55 C
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 300Vds 20Vgs FET
DMN30H4D0LFDE-7
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Si
SMD/SMT
DFN-2020-6
N-Channel
1 Channel
300 V
550 mA
2.3 Ohms
- 20 V, 20 V
1 V
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