Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
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TDSON-8
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1.2 V
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OptiMOS
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TDSON-8
N-Channel
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44 A
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OptiMOS
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SMD/SMT
TSDSON-8
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
IPB014N06NATMA1
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SMD/SMT
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N-Channel
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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IPD053N06NATMA1
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
45 A
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
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BSC010NE2LSI
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NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
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1.2 V
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+ 150 C
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
IPI029N06NAKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
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Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
2.7 mOhms
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2.1 V
66 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
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OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
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IPP029N06NXKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
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Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
84 A
2.9 mOhms
20 V
3.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
38 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC011N03LS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
230 A
1.1 mOhms
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2 V
72 nC
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96 W
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OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
BSC014N04LSATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1.1 mOhms
20 V
1.2 V
85 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
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726-BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
135 En existencias
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
1.45 mOhms
20 V
2.1 V
89 nC
- 55 C
+ 150 C
156 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC018NE2LS
Infineon Technologies
1:
$1.801
3.489 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC018NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
3.489 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
1.8 mOhms
20 V
2 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC028N06NSATMA1
Infineon Technologies
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1.438 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-BSC028N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1.438 En existencias
15.000 Se espera el 08-10-2026
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5.000
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
2.5 mOhms
20 V
2.1 V
49 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
BSC032NE2LS
Infineon Technologies
1:
$1.372
3.015 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC032NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
3.015 En existencias
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Mult.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
84 A
2.7 mOhms
20 V
1.2 V
21 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.768
6 En existencias
80.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
6 En existencias
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
3.9 mOhms
20 V
2.1 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
BSC050NE2LS
Infineon Technologies
1:
$1.186
3.635 En existencias
10.000 Se espera el 08-10-2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC050NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
3.635 En existencias
10.000 Se espera el 08-10-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
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5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
58 A
5 mOhms
20 V
1.2 V
10.4 nC
- 55 C
+ 150 C
28 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS
BSC052N03LS
Infineon Technologies
1:
$1.087
3.374 En existencias
5.000 Se espera el 24-09-2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS
3.374 En existencias
5.000 Se espera el 24-09-2026
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Mult.: 1
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5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
57 A
5.2 mOhms
20 V
1.2 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
28 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC0901NS
Infineon Technologies
1:
$2.251
45 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
45 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
1.6 mOhms
20 V
1.2 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.196
25 En existencias
15.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
25 En existencias
15.000 En pedido
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Embalaje alternativo
Existencias:
25 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
5.000 Se espera el 16-10-2026
10.000 Se espera el 11-02-2027
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
1.6 mOhms
20 V
1.2 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC0902NS
Infineon Technologies
1:
$1.812
2.876 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0902NS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
2.876 En existencias
Embalaje alternativo
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Min.: 1
Mult.: 1
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5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
2.2 mOhms
20 V
1.2 V
35 nC
- 55 C
+ 150 C
48 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel