Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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IPA60R120P7XKSA1
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IPD60R180P7ATMA1
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IPL60R125P7AUMA1
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IPL60R125P7AUMA1

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IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
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IPL60R185P7AUMA1

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726-IPL60R185P7AUMA1

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IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.682
947En existencias

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IPP60R099P7XKSA1

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$4.682

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31 A

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CoolMOS

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IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
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IPP60R180P7XKSA1

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726-IPP60R180P7XKSA1

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5.764En existencias

$3.035

$1.445

$1.344

$1.094

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TO-220-3

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1 Channel

600 V

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $13.485
310En existencias

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IPW60R024P7XKSA1

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726-IPW60R024P7XKSA1

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$13.485

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.749
1.067En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P7XKSA1

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$4.749

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$2.397

$2.386

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1 Channel

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31 A

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CoolMOS

Tube

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IPA60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.248
370En existencias

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IPA60R160P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P7XKSA1

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370En existencias

$3.248

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPAN60R180P7SXKSA1
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IPAN60R180P7SXKSA1

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726-IPAN60R180P7SXKS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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783En existencias

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$1.232

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$989

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CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R080P7ATMA1
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1.000Se espera el 10-03-2026

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
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IPB60R180P7ATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2.000Se espera el 16-02-2026

Cinta cortada

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Envase tipo carrete

$1.017

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
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IPP60R160P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160P7XKSA1

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolMOS

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