Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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$1.033

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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$2.403

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$2.403

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

39 A

73 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 40 C

+ 150 C

154 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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$4.039

$2.495

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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$2.883

$2.628

$2.505

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPB60R060P7ATMA1
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$2.597

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Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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$2.301

$2.157

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPB60R099P7ATMA1
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1: $4.887
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$1.973

Envase tipo carrete

$1.840

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPB60R120P7ATMA1
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$2.669

$1.953

$1.748

Envase tipo carrete

$1.616

$1.513

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

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IPB60R180P7ATMA1
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1: $3.078
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$1.984

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$1.155

Envase tipo carrete

$1.043

$1.033

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPA60R120P7XKSA1
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1: $4.080
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IPA60R120P7XKSA1

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726-IPA60R120P7XKSA1

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$2.658

$2.086

$1.738

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPB60R045P7ATMA1
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1: $7.791
1.027En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R045P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R045P7ATMA1

Infineon Technologies

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$7.791

$5.184

$4.192

$3.844

Envase tipo carrete

$3.292

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

120 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.546
6.217En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

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$2.546

$1.667

$1.176

$975

$904

Envase tipo carrete

$845

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: $2.106
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IPD60R180P7SAUMA1

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726-IPD60R180P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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14.090En existencias

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$2.106

$1.350

$905

$718

Envase tipo carrete

$591

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Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

180 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
1: $8.446
3.621En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R065P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065P7AUMA1

Infineon Technologies

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$8.446

$5.613

$4.540

$4.039

Envase tipo carrete

$3.568

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

41 A

53 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 40 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R105P7AUMA1
Infineon Technologies
1: $4.898
2.794En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R105P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R105P7AUMA1

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Cinta cortada

$4.898

$3.262

$2.403

$2.096

Envase tipo carrete

$1.953

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

33 A

85 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 40 C

+ 150 C

137 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
1: $3.763
4.754En existencias
6.000Se espera el 23-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R125P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1

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$3.763

$2.515

$1.922

$1.616

$1.564

Envase tipo carrete

$1.483

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

104 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 40 C

+ 150 C

111 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
1: $3.139
4.395En existencias

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IPL60R185P7AUMA1

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726-IPL60R185P7AUMA1

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4.395En existencias

Cinta cortada

$3.139

$2.035

$1.401

$1.135

Envase tipo carrete

$1.033

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Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

149 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolMOS

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IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $6.932
600En existencias
7.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R060P7XKSA1

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726-IPP60R060P7XKSA1

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600En existencias

7.000En pedido

$6.932

$4.540

$3.405

$2.894

$2.628

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

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IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.887
831En existencias

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IPP60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P7XKSA1

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831En existencias

$4.887

$2.526

$2.290

$1.881

$1.840

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $13.456
517En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024P7XKSA1

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517En existencias

$13.456

$8.129

$7.076

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

101 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

164 nC

- 55 C

+ 150 C

291 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPW60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $8.487
849En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R060P7XKSA1

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726-IPW60R060P7XKSA1

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849En existencias

$8.487

$5.572

$4.570

$4.008

$3.589

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.184
932En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P7XKSA1

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726-IPW60R099P7XKSA1

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932En existencias

$5.184

$3.139

$2.597

$2.382

$2.209

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

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